创建IBIS模型：步骤与关键信息

"本文档主要介绍了如何创建集成电路接口标准模型（Interconnect Business Interface Standard，简称IBIS）中的模型，特别是关于CSS圆形旋转菜单效果以及纯CSS实现的圆形旋转效果。同时，文档深入探讨了IBIS模型的创建过程和相关概念，包括获取模型数据的方式、模型的‘拐角’定义以及获取模型的其他相关信息。" 在创建IBIS模型的过程中，首先要了解模型的基本信息，包括缓冲器的类型、功能以及应用领域。接着，确定获取数据的方法，主要有三种途径： 1. 实际测量：早期方法，但因为高精度要求、时间消耗以及测量设备的影响，现已较少使用。 2. 通过晶体管级模型仿真转换：最常见的方式，利用HSpice、Spectre等仿真工具，基于晶体管级模型生成IBIS模型。 3. 数据拷贝：适用于相同工艺标准和生产线上的不同IC芯片，可以直接复用已有的模型数据。 模型的“拐角”（PVT Corner）是指模型在工艺、电压和温度变化下的行为。常见的拐角有快速、典型和慢速，分别对应不同的工艺、电压和温度条件。这些值并非固定，而是取决于芯片的接口类型、工艺特性、等级和适用范围。例如，DDR2-667 SDRAM的工作电压和温度范围会依据JEDEC规范和产品等级有所不同。 在创建模型之前，还需要考虑以下几点： 1. 测量准备：如果数据需要通过测量获得，需搭建测量平台并准备好测量仪器。 2. 转换软件的使用：若需要借助工具如S2IBIS3生成模型，需预先熟悉软件操作。 获取模型数据涉及核心组件、封装寄生参数、硅片电容、I/V和V/t曲线的提取等步骤。I/V曲线涵盖电源嵌位二极管、地嵌位二极管、上拉设备和下拉设备的I/V曲线提取，以及如何处理嵌位电流重复计算和确定参考电压。V/t曲线的提取同样关键，用于描述信号随时间变化的特性。 最后，将所有数据录入IBIS文件，包括文件头信息、元件定义、模型选择器和缓冲器模型的详细参数。这样就形成了完整的IBIS模型，可用于模拟电路在不同条件下的行为，确保接口信号的准确传输。