3D NAND闪存中新型程序方案优化干扰

本文是一篇发表在2018年7月《IEEE电子器件 letters》上的研究论文，标题为"3-D NAND闪存中程序干扰优化的新程序方案"。作者是Yu Zhang、Lei Jin、Xingqi Zou、Hongtao Liu、An Zhang和Zongliang Huo。论文主要探讨了如何通过创新的方法来提升3维垂直通道闪存（3-D NAND Flash Memory）的程序干扰优化性能。 在传统的3-D NAND闪存中，程序操作往往受到之前预充电步骤的影响，导致程序干扰（Program Disturbance），即数据在存储过程中被意外地改变。为了克服这个问题，研究人员提出了一个新颖的程序方案，其中的关键在于采用类似于擦除波形的预充电模式。这种方法在预充电期间额外为p型掺杂层注入空穴，增强了未选中的通道的效率和潜力。这样，不仅显著降低了程序干扰的发生，还扩大了阈值电压窗口（Vpass window），从而提高了存储系统的可靠性。 文章强调了这种“擦除辅助预充电”（Erase-Assisted Precharge）方案的优势。通过结合数值模拟（TCAD simulation）和迷你阵列测试设备的实验验证，结果显示该新程序策略有效地减少了程序干扰，并且对预充电操作的时间要求也进行了评估。因此，这项研究对于优化3-D NAND闪存的性能，特别是在数据存储和读取速度、耐久性和存储密度方面具有重要意义。 这篇论文为3-D NAND闪存技术的发展提供了一种创新的解决方案，有助于解决困扰行业已久的程序干扰问题，对于闪存存储器设计者和工程师来说，这是一项极具价值的研究成果。通过实施这一新程序方案，未来的3-D NAND闪存系统有望实现更高的数据处理效率和更长久的使用寿命。