NP32N055ILE-VB: 175°C耐高温N沟道TO252封装场效应晶体管

本文档介绍的是NP32N055ILE-VB场效应管，一款高性能的N沟道TrenchFET型功率MOSFET，它具有较高的耐热能力，适合于高温环境应用。该晶体管采用TO252封装，具备以下关键特性： 1. **技术特点**： - TrenchFET结构：利用深沟槽工艺，提供更小的栅极氧化层，从而降低栅极电荷密度，提高开关速度和效率。 - 高温兼容：175°C的结温等级，确保在严苛的工作条件下仍能稳定运行。 2. **产品概述**： - **电压参数**：VDS最大可达60V，rDS(on)在VGS=10V时为0.025Ω，VGS=4.5V时为0.030Ω，体现出良好的低阻抗特性。 - **电流能力**：连续 drain current (ID)在室温和100°C下有明确限制，例如，ID(100°C)为100A。脉冲峰值电流（IDM）为100A，适用于开关负载。 - **安全电流**：Source Current (IS)为23A，Avalanche Current (IAS)为20A，单个雪崩能量EAS在1% duty cycle下为20mJ。 3. **热性能**： - **温度范围**：工作结温范围为-55°C至175°C，存储温度更低，设计时需注意温度控制。 - **热阻**：文档提供了Junction-to-Ambient (RthJA)和Junction-to-Case (RthJC)的典型和最大值，用于评估散热性能。 4. **合规性**： - RoHS兼容，符合环保标准，适合于对环境友好的电子设计。 5. **封装与安装**： - TO-252封装，Drain引脚连接到Tab，便于散热和电路布局。 6. **附加信息**： - 表面安装时，建议在1"x1" FR4板上，但需确保不超过10秒的热时间常数。 - 参数限制是在标准条件下给出，实际应用可能需要根据具体条件调整。 7. **服务支持**： - 提供400-655-8788的服务热线，以及VBsemi.com的官方网址以获取更详细的资料。 NP32N055ILE-VB是一款高效率、耐高温的N沟道MOSFET，适用于各种需要高效电力开关或电流驱动的工业和消费电子设备设计中，同时注重了散热管理和环保合规性。在选择和使用时，设计师需要充分考虑其电气特性和热性能要求。