SBN:60晶体的电光诱导光波导及其创新电光调制器

本文主要探讨了在SBN:60(Sr0.6Ba0.4Nb2O6)晶体中观察到的电光诱导光波导现象以及新型电光光强调制器的设计。SBN:60是一种具有高线性电光系数的材料，其在室温下的γ33系数远超LiNbO3和LiTaO3，这使得它在集成光学领域展现出巨大的潜力。 首先，作者揭示了在SBN:60单晶上首次观察到直流(DC)电场作用下形成的电光诱导光波导。这种光波导的形成依赖于电极间的电场，当改变电极极性时，光的传播路径会发生变化，具体表现为低折射率区域的光会在电极间隙下方折向衬底。这一现象的独特性质使得研究人员得以设计出一种不同于传统基于光相位调制的新型电光光强调制器。 实验部分详细描述了样品的制备过程，采用[010]方向切割、单面抛光的SBN:60晶体，配合具有8μm间隙的Al/In电极，电极方向与晶体的[100]方向平行。端面耦合法被用来引导激光进入电光诱导光波导，近场的光强度分布通过OPD进行测量，而电光调制特性则由光电二极管检测。 值得注意的是，这项工作填补了当时集成光学领域的一个空白，即在SBN:60这样的高质量晶体上实现电光效应的高效应用。这对于光通信、光信号处理等领域具有重要意义，因为它提供了一种低电压、高效率的新型光控制手段。 这篇文章不仅报告了一个新颖的物理现象，还提出了一种创新的电光光强调制器设计，对于推动电光集成技术的发展具有重要价值。未来的研究可能围绕优化电极设计、提高光波导性能以及进一步探索其他电光效应在SBN:60中的潜在应用展开。