英飞凌FF200R12KT4 IGBT模块技术手册

"Infineon-FF200R12KT4 中文数据手册提供了英飞凌公司生产的FF200R12KT4 IGBT模块的技术信息。这款模块设计有快速的Trench/Feldstopp IGBT4技术及优化的Emitter Controlled Diode，适用于逆变器应用。其主要特性包括1200V的集电极-发射极电压，连续集电极直流电流在不同温度下分别为200A和320A，以及最大400A的重复峰值集电极电流。此外，模块的最大总功率损耗为1100W，栅极-发射极峰值电压为±20V。在不同的温度条件下，集电极-发射极饱和电压和栅极阈值电压也会有所变化。" 英飞凌的FF200R12KT4是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它采用了先进的Trench/Feldstopp技术，这使得器件具有较低的开关损耗和较高的耐压能力。Trench技术是指在IGBT芯片内部制造出深沟槽结构，以减小通态电阻并提高开关速度。Fieldstop层则用于进一步增强器件的耐压性能。 模块还配备了优化的Emitter Controlled Diode，这是一种内置的反向恢复二极管，专为与IGBT配合使用而设计，可以减少反向恢复电流造成的损耗，提高系统的效率。该二极管的优化设计意味着在逆变器应用中，可以更顺畅地处理电流的换相。 关键参数方面，该IGBT的额定集电极-发射极电压（VCES）为1200V，确保了在高压环境下工作的稳定性。连续集电极直流电流（IC）在环境温度为100°C且结温最大175°C时为200A，在环境温度为25°C且结温最大175°C时为320A，表明了模块在不同条件下的电流承载能力。重复峰值集电极电流（ICRM）为400A，适合短时间高电流脉冲的处理。 此外，总功率损耗（Ptot）在25°C环境温度和结温最大175°C时为1100W，这意味着在运行过程中，需要适当的散热设计来维持模块的稳定工作。栅极-发射极峰值电压（VGES）设定为±20V，这是控制IGBT开启和关闭的电压范围。在不同的温度条件下，集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和栅极阈值电压会有所变化，影响器件的开通和关断特性。 FF200R12KT4是一款适用于高压、大电流应用的IGBT模块，尤其适合于需要高效能和低损耗的电力电子系统，如电机驱动、太阳能逆变器或电源转换系统等。其出色的技术特性确保了在严苛环境下稳定可靠的工作。