"ELM13422CA-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。该器件采用TrenchFET®技术,具有低电阻、小封装和绿色环保等特点。"
详细说明:
ELM13422CA-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,其主要特点包括:
1. **TrenchFET®技术**:这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上形成深而窄的沟槽结构,实现了更小的尺寸和更低的导通电阻(RDS(ON)),从而提高了效率。
2. **SOT23封装**:这种紧凑的封装方式使得该MOSFET适合于空间有限的应用,如便携式设备和小型电子模块。
3. **低RDS(ON)**:在VGS = 10V时,RDS(ON)为85mΩ,这确保了在工作时较低的功耗和更高的电源效率。
4. **电压和电流规格**:该器件可承受最高60V的Drain-Source电压(VDS)和最大4A的连续 Drain电流(ID)。在特定条件下,例如在TJ = 150°C时,ID会有所降低。
5. **阈值电压**:Vth范围在1~3V之间,这意味着在低于这个电压时,MOSFET不会导通,提供了一定的控制灵活性。
6. **100%测试**:每个器件都经过Rg和UIS测试,确保了产品的质量和可靠性。
7. **环保标准**:符合IEC61249-2-21标准,不含卤素,对环境友好。
在应用方面,ELM13422CA-VB主要适用于:
1. **电池开关**:由于其低RDS(ON),它能有效地控制电池的通断,减少开关过程中的能量损失。
2. **DC/DC转换器**:在电源转换系统中,低导通电阻的特性可以提高转换效率并降低热损耗。
参数规格表提供了器件的绝对最大额定值和典型性能:
- 在25°C下,连续Drain电流ID为4A,随着温度升高,ID会有所下降。
- 短脉冲Drain电流IDM达到12A,表明其在瞬态工作条件下的能力。
- 持续的Source-Drain二极管电流IS为1.39A,在25°C时,降为0.91A。
- 崩溃电流IL和单脉冲雪崩能量EAS分别设定为6A和1.8mJ,确保了器件在过载情况下的安全性。
- 最大功率耗散PD在25°C和70°C时分别为1.66W和1.06W,需注意防止过热。
- 工作结温及存储温度范围为-55°C到150°C,涵盖了广泛的使用环境。
ELM13422CA-VB是一款高性能、紧凑型的N沟道MOSFET,适用于需要高效、低损耗和小体积解决方案的电源管理应用。