TPC8107-VB: 高性能P沟道SOP8封装MOSFET特性与应用

本文档介绍的是TPC8107-VB型号的P沟道SOP8封装MOSFET，它是一种高性能、环保的TrenchFET® PowerMOSFET。该MOSFET的主要特点包括： 1. **无卤素设计**：采用无卤化物材料制造，注重环保和安全。 2. **Trench FET结构**：采用先进的Trench FET技术，提供了更高的开关效率和更低的漏电流，有利于降低功耗和提升电路的可靠性。 3. **高可靠性测试**：100% Rg和100% UIS测试确保了器件在严苛条件下的性能一致性。 4. **应用范围广泛**：适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用，如在1"x1" FR4板上表面安装。 5. **电气参数**： - **VDS（ Drain-Source Voltage）**：最大电压为-30V，允许在-13.5A的连续 Drain Current 下工作，但需要注意最大脉冲电流限制（IDM）为-50A。 - **VGS（Gate-Source Voltage）**：工作范围在±20V，以保证栅极控制的有效性。 - **IS（Continuous Source-Drain Diode Current）**：在25°C时，连续源极-漏极二极管电流为-4.1A，随温度升高有所减小。 - **Avalanche Current（AAS）**：单脉冲雪崩电流和能量（EAS）限制，确保在极端条件下设备的安全。 6. **热管理**：最大功率 dissipation 在25°C下为5.0W，随着温度升高有所下降，这提示用户在设计电路时要考虑散热条件。 7. **温度范围**：TPC8107-VB可在-55°C至150°C的宽温范围内正常工作，同时存储温度范围也达到-55°C至150°C。 8. **热阻指标**：文档提供了典型的和最大值的热阻参数，用于评估器件在不同条件下的热性能。 TPC8107-VB是一款高性能且适合于各种应用场合的P沟道MOSFET，尤其适用于对低漏电流、高可靠性和良好散热性能有要求的电子设备设计。在使用时，应遵循制造商提供的极限条件和建议，以确保其最佳性能和使用寿命。