MDU1517RH-VB:30V N沟道DFN8封装高功率MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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MDU1517RH-VB是一款高性能的N沟道DFN8(5X6)封装MOSFET,它采用了TrenchFET® PowerMOSFET技术,这是一款专为高效率、低损耗设计的器件。它的主要特点包括:
1. **特性:**
- **耐压能力**:该MOSFET的最大Drain-Source电压(VDS)为30V,确保了在高压应用中的稳定性能。
- **开关特性**:在VGS=10V时,典型状态下的漏极电流(ID)为120A,而在VGS=4.5V时降低到90A,表现出较高的开关速度和电流控制能力。
- **热稳定性**:经过100%的Rg和UISTest,保证了在不同温度条件下的可靠性。
- **存储能量限制**:单脉冲雪崩能量(EAS)为60mJ,确保了设备在短时间过电压下的安全性。
2. **应用领域:**
- **笔记本电源管理核心**:MDU1517RH-VB适用于对功率密度要求高的便携式电子设备中。
- **VRM/POL**:作为电压稳压器或电源转换模块的理想选择。
3. **极限参数:**
- **持续工作电流**:在25°C下,最大连续 Drain-Current 为120A,随着温度升高会有所限制。
- **短路保护**:脉冲峰值电流(IDM)高达250A,可防止短路造成的损害。
- **热管理**:最大功率耗散在25°C时为210W,有严格的温度限制以防止过热。
4. **环境条件:**
- **温度范围**:设备的工作温度范围在-55°C至175°C,储存温度范围更宽,适合各种工业和商业应用。
- **热阻**:提供了不同温度条件下从热源到散热器的热阻值,这对于散热设计至关重要。
MDU1517RH-VB是一款高效率、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合于需要低功耗、快速开关以及宽温范围应用的现代电子系统,如笔记本电脑电源管理模块和电源转换电路中。设计者在使用时需要注意其操作条件下的电流、电压限制,并充分考虑散热设计以保证长期稳定运行。
2023-12-26 上传
2022-06-14 上传
2021-03-09 上传
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