MDU1517RH-VB：30V N沟道DFN8封装高功率MOSFET特性与应用

MDU1517RH-VB是一款高性能的N沟道DFN8(5X6)封装MOSFET，它采用了TrenchFET® PowerMOSFET技术，这是一款专为高效率、低损耗设计的器件。它的主要特点包括： 1. **特性：** - **耐压能力**：该MOSFET的最大Drain-Source电压（VDS）为30V，确保了在高压应用中的稳定性能。 - **开关特性**：在VGS=10V时，典型状态下的漏极电流（ID）为120A，而在VGS=4.5V时降低到90A，表现出较高的开关速度和电流控制能力。 - **热稳定性**：经过100%的Rg和UISTest，保证了在不同温度条件下的可靠性。 - **存储能量限制**：单脉冲雪崩能量（EAS）为60mJ，确保了设备在短时间过电压下的安全性。 2. **应用领域：** - **笔记本电源管理核心**：MDU1517RH-VB适用于对功率密度要求高的便携式电子设备中。 - **VRM/POL**：作为电压稳压器或电源转换模块的理想选择。 3. **极限参数：** - **持续工作电流**：在25°C下，最大连续 Drain-Current 为120A，随着温度升高会有所限制。 - **短路保护**：脉冲峰值电流（IDM）高达250A，可防止短路造成的损害。 - **热管理**：最大功率耗散在25°C时为210W，有严格的温度限制以防止过热。 4. **环境条件：** - **温度范围**：设备的工作温度范围在-55°C至175°C，储存温度范围更宽，适合各种工业和商业应用。 - **热阻**：提供了不同温度条件下从热源到散热器的热阻值，这对于散热设计至关重要。 MDU1517RH-VB是一款高效率、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适合于需要低功耗、快速开关以及宽温范围应用的现代电子系统，如笔记本电脑电源管理模块和电源转换电路中。设计者在使用时需要注意其操作条件下的电流、电压限制，并充分考虑散热设计以保证长期稳定运行。