N沟道30V TrenchFET MOSFET MDU1514URH-VB技术规格与应用

"MDU1514URH-VB是一种N沟道的MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，适用于电源管理、服务器和OR-ing等应用。这款MOSFET具备TrenchFET®技术，100%的Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2011/65/EU的要求。其主要特性包括低导通电阻、快速开关性能以及良好的热特性。" MDU1514URH-VB是一款由N沟道设计的MOSFET，其核心技术是采用了TrenchFET®结构，这是一种先进的制造工艺，旨在提高器件的开关性能和降低导通电阻。TrenchFET®通过在硅片上形成深沟槽来实现，从而在更小的芯片尺寸下提供更高的电流处理能力。 该器件的最大 Drain-Source 电压（VDS）为30V，这意味着它可以在不损坏的情况下承受最高30V的电压。在VGS=10V时，它的漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.007欧姆，这表明了其优异的低电阻特性，有利于减少功耗和提高效率。同时，MOSFET的栅极电荷（Qg）在VGS=4.5V时典型值为0.009nC，这有助于实现更快的开关速度。 这款MOSFET适用于多种应用，如电源并联（OR-ing），服务器系统以及DC/DC转换器。在这些应用中，它能够有效地控制电流流动，确保系统的稳定运行。在25°C的温度下，连续漏源电流（ID）最大可达60A，而在70°C时，这个值降至45A。此外，脉冲漏源电流IDM可高达210A，短暂的雪崩电流脉冲（IAS）可以达到60A，这表明了器件的过载能力。 在安全操作方面，MDU1514URH-VB具有严格的绝对最大额定值。例如，门极-源极电压（VGS）的极限值为正负20V，连续漏源电流（ID）在175°C结温下限制为60A。连续源漏二极管电流（IS）在25°C时可达到80A，最大功率耗散（PD）在25°C时为155W，而70°C时则为105W。 热性能是衡量MOSFET可靠性的重要指标。MDU1514URH-VB的热阻（Thermal Resistance）参数提供了关于其如何处理和散发热量的信息。这些数据对于评估在实际应用中的散热设计至关重要。器件的工作和储存温度范围是-55到175°C，确保了它能在宽广的温度范围内稳定工作。 MDU1514URH-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，特别适合需要高效能、低损耗和紧凑封装的电源管理解决方案。其TrenchFET®技术和出色的电气特性使其成为服务器、数据中心和各种DC/DC转换器的理想选择。在设计中考虑这些参数和额定值，能够确保设备的可靠性和长期稳定性。