IS42S16400F SDRAM 芯片技术规格详解

"IS42S16400F是一款由Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)公司生产的同步动态随机存取内存(SDRAM)芯片。该芯片具有多种特性，适用于高速数据处理和存储应用。它的工作时钟频率可高达200, 166或143MHz，确保了高效的数据传输。该SDRAM是完全同步的，所有信号都与一个正向时钟边缘对齐，以确保精确的操作。 该芯片采用3.3V单电源供电，提供了一个低电压晶体管-晶体管逻辑(LVTTL)接口，有利于降低功耗。IS42S16400F支持可编程冲突长度，包括1、2、4、8和全页，这允许用户根据系统需求灵活调整突发传输的长度。此外，它每64毫秒执行4096次刷新操作，以保持数据的稳定性，并具有可编程的CAS（列地址选通）延迟，可以设置为2或3个时钟周期。 IS42S16400F设计有4个内部银行，每个银行拥有12位的行地址和8位的列地址，使得存储深度达到1,048,576个字节，而每个存储单元为16位，这意味着总存储容量为64Mbit。芯片还支持突发读写操作和突发读/单写操作，增加了数据访问的灵活性。通过使用LDQM和UDQM（低位数据字线掩码和高位数据字线掩码）进行字节控制，可以实现对数据的精细管理。 此外，IS42S16400F具有自刷新模式，可在没有外部控制信号的情况下保持数据完整性。突发终止可以通过突发停止和预充命令来实现，提供了额外的控制功能。需要注意的是，用户在应用或使用此芯片时应遵循最新的设备规格，并在下单购买产品前获取最新的信息，因为ISSI有权随时更改此规范及其产品，且不承担由此产生的任何责任。" 这篇摘要详细介绍了IS42S16400F SDRAM芯片的关键特性，包括其工作频率、同步性、电源需求、刷新机制、CAS延迟、突发长度编程、存储结构以及数据控制等，为理解和使用该芯片提供了全面的参考。