LM74202-Q1：40V, 2.2A集成式理想二极管，带过压过流保护
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更新于2024-06-29
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"TI-LM74202-Q1.pdf"
TI-LM74202-Q1是一款专为汽车应用设计的高性能集成电路，它集成了40V、2.2A的理想二极管功能，具备过压和过流保护。这款器件符合AEC-Q100标准的一级温度等级，可在-40°C到+125°C的温度范围内稳定工作，并通过了AEC-Q100-012A级短路可靠性的验证。其ESD分类等级包括HBM的等级2和CDM的等级C6，确保了良好的电磁兼容性。
该芯片的工作电压范围为4.2V到40V，最大可承受42V的瞬态电压，同时内置反向输入极性保护，可以承受低至-40V的反向电压。LM74202-Q1内部包含一对总导通电阻（RON）仅为150毫欧的背对背MOSFET，能够提供低损耗的开关性能。器件还具备高达55V的瞬态抗扰度，确保在恶劣环境下的稳定性。
LM74202-Q1的电流限制可调，范围从0.1A到2.23A，且在1A时的精度可达±5%，并能在ISO7637和ISO16750-2规定的测试条件下保护负载。它能提供电池短路和接地短路保护，同时阻止反向电流，防止电池因短路而受损。IMON电流指示器输出可提供±8.5%的精度，用于监测电路中的电流状态。
静态电流极低，工作时仅为285微安，关断状态下降至16微安，有利于节能。该器件还提供了可调节的欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）切断以及浪涌电流控制功能。用户可以选择电流限制故障响应方式，如自动重试、闭锁或CB模式，以适应不同应用场景的需求。
LM74202-Q1封装在16引脚的HTSSOP封装中，便于安装和使用。这款集成电路适用于各种汽车电子应用，包括前置和后置摄像头系统、驾驶辅助电子控制单元（ECU）、远程信息处理控制单元以及蜂窝式模块的资产追踪等。
TI-LM74202-Q1是一款高性能、高可靠性的汽车级集成理想二极管控制器，其强大的保护特性、广泛的电流调节能力和低功耗设计，使其成为汽车电子系统中电源和负载管理的理想选择。
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LM74202-Q1
www.ti.com.cn
ZHCSK76 –SEPTEMBER 2019
版权 © 2019, Texas Instruments Incorporated
Timing Requirements (continued)
–40°C ≤ T
A
= T
J
≤ +125°C, V
(IN)
= 12 V, V
(SHDN)
= 2 V, R
(ILIM)
= 120 kΩ, IMON = FLT = OPEN, C
(IN)
= 0.1 μF, C
(OUT)
= 1 μF,
C
(dVdT)
= OPEN.
(All voltages referenced to GND, (unless otherwise noted))
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN NOM MAX UNIT
SHUTDOWN Exit delay
SHDN_t
on(dly)
SHDN ↑ (above V
(SHUTR)
to V
(OUT)
= 100mV,
C
(dvdt)
≥ 10 nF, [C
(dvdt)
in nF]
350+14
.5 x
C
(dvdt)
µs
SHDN_t
on(dly)
SHDN ↑ (above V
(SHUTR)
to V
(OUT)
= 100mV, C
(dvdt)
=
Open
355
SHUTDOWN Entry delay SHDN_t
off(dly)
SHDN ↓ (below V
(SHUTF)
to FLT ↓ 10 µs
OVP INPUT
OVP Exit delay t
OVP(dly)
OVP ↓(20mV below V
(OVPF)
) to V
(OUT)
= 100mV 205 µs
OVP Disable delay t
OVP(dly)
OVP↑ (20mV above V
(OVPR)
) to FLT ↓ 2 µs
CURRENT LIMIT
Fast-Trip Comparator
Delay
t
FASTTRIP(dly)
I
(OUT)
= 1.5x I
(FASTRIP)
170 ns
REVERSE CURRENT BLOCKING COMPARATOR
RCB comparator delay
t
REV(dly)
(V
(IN)
-V
(OUT)
) ↓ (100mV overdrive below V
(REVTH)
) to
internal FET OFF
1.29 µs
(V
(IN)
-V
(OUT)
) ↓ (10mV overdrive below V
(REVTH)
) to
FLT ↓
40 µs
t
FWD(dly)
(V
(IN)
-V
(OUT)
) ↑ (10mV overdrive above V
(FWDTH)
) to
FLT ↑
60 µs
THERMAL SHUTDOWN
Retry Delay in TSD t
retry
540 ms
OUTPUT RAMP TIME
Output Ramp Time t
dVdT
SHDN↑ to V
(OUT)
= V
(IN)
1.6 ms
SHDN↑ to V
(OUT)
= V
(IN)
, with C
(dVdT)
= 47nF 10 ms
FAULT FLAG
FLT assertion delay in
circuit breaker mode
t
CB(dly)
MODE = OPEN,Delay from I
(out)
>I
(lim)
to FLT ↓(and
internal FET turned off)
4 ms
Retry Delay in circuit
breaker mode
t
CBretry(dly)
MODE= OPEN, C
(dVdT)
= Open. I
(out)
>I
(lim).
Delay
from FLT ↓ to V
(dVdT)
= 50mV (Rising)
540 ms
PGOOD delay time
t
PGOODR
Delay for rising FLT edge 1.8 ms
t
PGOODF
Delay for falling FLT edge 900 µs
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