ME20N10-VB: 100V N沟道TO252封装高性能MOSFET

ME20N10-VB是一种高性能的N沟道TO252封装MOSFET，它采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，专为功率应用设计，具有出色的可靠性和效率。该器件的关键特性包括： 1. **电压规格**： - 阀值电压（VDS）为100V，这意味着在10V的栅极源电压（VGS）下，该管子的最大集电极源电流（ID）为0.1A（在TA=25°C条件下）。 - 长期连续工作时，允许的最大栅极源电压为±20V。 2. **温度规格**： - 管芯温度（TJ）最高可达175°C，满足高温环境下的稳定运行需求。 - 电源管理优化，100%通过了电阻率测试（Rg）。 - 符合RoHS指令2002/95/EC，确保环保合规。 3. **电流能力**： - 连续脉冲漏电流（IDM）为40A，可应对突发工作负载。 - 持续源电流（IS）为3A，适合作为二极管导通时的电流。 - 爆发性电流（IAS）也达到3A，表明在短路情况下能承受一定的冲击电流。 4. **能量处理能力**： - 单次脉冲雪崩能量（EAS）为18mJ，对于保护电路至关重要。 - 最大功率损耗（PD）在25°C时为96W，但在更严格的条件（如TA=25°C，持续时间10秒）下可能有所不同。 5. **散热性能**： - 接触热阻（RthJA）典型值为15°C/W，最大值为18°C/W，体现了良好的散热效率。 - 结-壳热阻（RthJC）为0.85至1.1°C/W，反映了器件内部热量传递的能力。 6. **应用范围**： - ME20N10-VB适用于初级侧开关等需要高耐压、高效率和耐高温的电力电子系统。 7. **封装形式**： - 该MOSFET采用标准的TO252封装，适合表面安装，且已经安装在1"x1"的FR4板上。 ME20N10-VB是一款针对特定工业应用的高性能MOSFET，其设计特点强调了耐温、高电流能力和良好的散热性能，是工程师在设计高压开关、逆变器或电源管理电路时的理想选择。在选择和使用此类元件时，务必参考产品手册中的安全工作区曲线（SOA），确保在电压降和功率耗散限制内操作，以确保设备的长期稳定性和可靠性。