SAMSUNG K6R3024V1D: 128Kx24Bit CMOS Static RAM 数据手册

"SAMSUNG-K6R3024V1D.pdf 是三星电子发布的一份关于128Kx24位高速CMOS静态RAM（3.3V工作电压）的数据手册，适用于商业和工业温度范围。文档的修订历史记录了从Rev.0.0到Rev.1.0的更新内容，包括设计输入规范、引脚配置的修改以及读取周期时序图的添加等。主要改动包括产品型号从M系列更改为D系列，输入电容 Cin 从20pF减少到15pF，电源电流 Icc 下降，待机电流 Isb (TTL和CMOS)也有所降低，并且部分产品的型号末尾添加了-09以区分不同速度等级的产品。" 该资源详细介绍了SAMSUNG K6R3024V1D芯片，这是一款高性能的CMOS静态随机访问存储器（SRAM），具有128K个存储单元，每个单元可以存储24位数据，适用于需要高速数据存取的应用场景。其工作电压为3.3V，这意味着它能够与许多现代数字系统兼容，特别是那些采用低电压标准的系统。 在文档的修订历史部分，可以看到从Rev.0.0到Rev.1.0的几个关键更改。Rev.0.4到Rev.1.0是最终版本，表明该数据手册已经过多次迭代和优化。其中，引脚配置的修改可能涉及到芯片接口的布局变化，这对用户在硬件设计时的布局布线有直接影响。新增的时序图（在第6至8页）提供了关于芯片操作的关键时间参数，如读取周期，这对于正确理解和使用该SRAM至关重要。 电源电流（Icc）的下降意味着该芯片在运行时将消耗更少的功率，这对于电池供电或对功耗敏感的设备来说是一个重要的改进。同时，待机电流（Isb）的降低不仅减少了待机状态下的功耗，还提高了系统的整体能效。此外，产品型号的变化（例如，-9到-09）可能是为了区分不同的速度等级，不同的后缀可能对应着9ns、10ns或12ns的不同数据存取速度。 SAMSUNG-K6R3024V1D是一款面向商业和工业应用的高性能CMOS SRAM，其设计经过多次优化，旨在提供高效、低功耗的存储解决方案。用户在设计电路时需要参考这份数据手册，了解其详细规格和操作时序，以确保与之兼容并实现最佳性能。如果有任何疑问或需要进一步的技术支持，可以通过联系三星的当地办公室或总部获取帮助。