三星K6R1004V1D：3.3V高速CMOS静态RAM规格与修订历史

Samsung -K6R1004V1D.pdf 是一份关于三星公司生产的64Kx16位高速CMOS静态随机存取存储器(K6R1004V1D)的初步规格说明书，适用于AT&T的项目。该文档特别强调了这款内存芯片在3.3伏特工作电压下的性能，设计用于商业和工业温度范围内操作。 修订历史部分详细记录了产品的版本更新： - Rev. 0.0：初始文档发布，说明文档处于初步阶段。 - Rev. 0.1：对速度等级进行了修改，删除了12纳秒(nanosecond, ns)的速度等级，并可能对电流控制参数进行了调整。 - Rev. 0.2：进一步优化了工业模式下的电流控制集成电路(Icc)，降低了工作电流。 - Rev. 1.0：标志着最终的规格修订，标志着产品进入正式设计和生产阶段。 文档中提供了关键规格，如不同速度等级下的典型读写时间（8ns到10ns），以及针对工业模式的电流消耗，分别是85mA到75mA。此外，还提到了1Mb的异步(Fast SRAM)功能，以及订购信息和组织结构，如Part Number，这表明用户可以根据这些信息进行准确的采购和应用选型。 在文档的使用条款方面，三星电子株式会社保留更改规格的权利，并鼓励用户如有疑问或需求，可以直接联系当地的三星分支机构或总部进行咨询。这体现了制造商对于产品质量和性能的持续优化，以及对客户反馈的重视。 Samsung -K6R1004V1D.pdf 是一个重要的技术文档，不仅提供了硬件设计者和工程师所需的详细规格和技术参数，也反映了制造商与客户的沟通机制，确保产品的可靠性和适应性。