半导体存储器的线选译码地址分配与SRAM工作原理详解

本资源主要探讨了线选译码地址分配在微机半导体存储器中的应用，特别是针对不同类型的存储器，如只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM），其中涵盖了静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）的不同种类。重点讨论了掩膜式ROM、一次性可编程ROM（PROM）、紫外线擦除可编程ROM（EPROM）以及电擦除可编程ROM（EEPROM）的工作原理和结构。 在半导体存储器部分，首先介绍了存储器的基本结构和工作原理，包括单译码结构电路，该电路使用MOS管实现地址译码，通过改变输出线的状态来确定存储单元的位置。掩膜式ROM的特点是内容固定，由制造时的掩膜决定，通过控制工作管（T1、T2）和负载管（T3、T4）的状态来实现写入和读出操作。 接着，文章转向了SRAM，这是一种动态存储器，其内部结构包括行地址译码和列地址译码，以及读写控制信号（WE）。SRAM的核心是基本存储单元，每个单元都有一个行选通信号（CS）来选择存储单元，同时配备有数据输入和输出端口，以及列地址译码用于选择特定的列。SRAM的工作特点是数据在不供电的情况下会丢失，因此需要周期性刷新。 这个资源深入剖析了地址分配在不同类型的半导体存储器中的作用，强调了它们在微机系统中的关键地位，并详细解释了如何通过电路设计实现高效、准确的地址访问。这对于理解计算机硬件工作原理和存储器管理至关重要。