TPC8207-VB：2个N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用解析

本文档详细介绍了VBsemi公司生产的TPC8207-VB型号的2个N沟道SOP8封装MOSFET，它是一款高性能的Trench FET功率MOSFET，具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，采用无卤素材料，体现了对环境友好的设计理念。 2. **工艺技术**：采用 trench FET 结构，这使得TPC8207-VB在低栅极电压（VGS）下也能保持较高的开关效率和低导通电阻（RDS(on)）。 3. **可靠性测试**：100%的Rg（漏源寄生电容）测试，确保了器件的性能一致性。 4. **法规遵从性**：符合RoHS指令2002/95/EC，确保产品在电子废物管理方面的合规性。 产品规格方面，TPC8207-VB提供了如下参数： - 额定 Drain-Source Voltage (VDS): 20V，确保了安全的工作范围。 - 不同工作条件下的连续导通电流（ID）：在25°C时，ID为7.1A；当温度升高至70°C时，降为5.7A。 - 适用于短脉冲操作的峰值电流（IDM）：在10us脉宽下可达40A。 - 连续源电流（IS）：单个MOSFET的Diode Conduction电流为1.7A。 - 功率损耗：在25°C时最大功率为2W，而在70°C时为1.3W。 - 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适应于各种应用环境。 热性能方面，该MOSFET的Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA)为62.5°C/W，表明其散热能力良好。 产品图示部分显示了SO-8封装，以及各引脚的功能分配，包括G1（栅极）、D1（漏极）和S1、S2（源极）等。 最后，文档提供了一个客户服务热线400-655-8788，以及TPC8207-VB的完整数据手册链接，方便用户获取更多详细信息和应用指导。 TPC8207-VB是一款在工业级应用中值得信赖的MOSFET，其高效、可靠和环保特性，以及明确的电气规格和散热性能，使其成为工程师在设计电路板时的理想选择。