ESMT M12L64164A SDRAM:高性能同步动态随机存取存储器
"M12L64164A是一款由Elite Semiconductor Memory Technology Inc.生产的1Mx16Bitx4Banks Synchronous DRAM,符合JEDEC标准,使用3.3V电源,与LVTTL兼容,支持多路复用地址。该SDRAM具有四银行操作功能,以及多种工作模式,包括CAS延迟(2&3)和突发长度(1, 2, 4, 8及全页)。此外,它还支持顺序和交错突发类型。所有输入信号在系统时钟的正边沿进行采样,并配备了DQM(数据使能掩码)功能,允许对数据进行屏蔽。同时,它具备自动和自刷新功能,刷新周期为64毫秒(4K周期),刷新间隔为15.6微秒。产品提供不同速度等级的选择,频率范围从143MHz到200MHz,封装形式包括54TSOPII和54VBGA,均为无铅工艺。" 这篇摘要详细介绍了M12L64164A SDRAM的一些关键技术特性。首先,它遵循JEDEC标准,这意味着它设计为普遍兼容,可以在广泛的应用中使用。3.3V电源供应确保了低功耗操作,而LVTTL兼容性使得它能够与使用这种逻辑电平的系统无缝对接。四银行操作是提高内存访问效率的一种方式,通过同时处理多个独立的数据请求来提升性能。 MRS(模式寄存器设置)周期带地址键编程功能允许用户根据需要配置内存的特定操作参数。CAS延迟(CL)的可选值为2和3,决定了读取或写入操作后,数据有效可用的时间。突发长度的多样性提供了灵活的数据传输选项,适应不同的应用需求。突发类型选项包括顺序和交错,可以优化连续数据传输的效率。 时钟同步设计是SDRAM的一个关键特征,它依赖于系统时钟来精确控制操作,确保数据传输的同步。DQM(数据使能掩码)引脚允许在传输过程中忽略某些数据位,这对于保护敏感信息或进行部分内存操作非常有用。 自动和自刷新功能是现代DRAM的重要组成部分,确保数据在长时间未被访问后仍然保持有效。64毫秒的刷新周期和15.6微秒的刷新间隔符合JEDEC的标准,保证了数据的稳定存储。 最后,订购信息列出了不同速度等级(5TG2Y、6TG2Y、7TG2Y、5BG2Y、6BG2Y、7BG2Y)的产品,频率范围从143MHz到200MHz,表明这些SDRAM芯片可以满足各种速度需求。封装选项包括54TSOPII和54VBGA,两种都是无铅封装,符合当前环保标准。 总结起来,M12L64164A是一款高性能、高灵活性的SDRAM,适用于需要高速数据处理和高效内存管理的系统。其多样化的特性使其在各种应用中表现出色,包括个人电脑、服务器、嵌入式系统和其他需要高性能内存的设备。
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