多干扰环境下的自适应阵列优化设计研究

"多干扰情况下的自适应阵列设计 (1990年)，作者：苗振江，张凤苦苦，发表于《北方交通大学学报》1990年第14卷第11期，主要探讨了在多干扰环境下自适应阵列的优化设计问题，强调了在多干扰条件下的SINR（信噪比）优化对于提高系统性能的重要性。" 自适应阵列设计是应对复杂电磁环境的关键技术，尤其在存在多个干扰源的情况下，传统的抗干扰策略可能不再适用。文章指出，在单干扰源情况下，随着阵元数量的增加，SINR通常不会下降，这是因为自适应阵列能够通过调整加权系数有效地抑制单一干扰。然而，当面临多个干扰源时，这一规律不再成立，不适当的阵元选择和布局可能导致SINR下降，从而影响系统的性能。 作者深入分析了多干扰环境下的SINR表达式，以N元最小均方误差（LMS）阵为例，给出了SINR的数学公式，该公式揭示了阵列输出的信噪比与阵元间的相互作用、干扰与噪声的协方差矩阵以及信号功率与噪声功率的比例等因素之间的关系。他们假设各个通道上的噪声是零均值且相互独立的高斯噪声，并考虑了多个干扰源的情况。 在这样的背景下，文章提出了优化阵列设计的关键因素，包括选择合适的阵元数量和优化阵元的位置。这些设计条件有助于在多干扰环境中形成更有效的零陷，以抑制干扰，提高信号的检测和识别能力。作者的研究不仅扩展了Compton关于单干扰源阵列设计的工作，而且为多干扰源场景提供了新的见解，对于实际的通信、雷达、声纳和地震信号处理等领域具有重要的理论和实践意义。 在解决这一问题的过程中，文章强调了阵列设计的重要性，因为仅仅依赖信号处理算法无法完全解决在非干扰和信号方向上出现的零陷问题。通过合理的阵列设计，可以更好地改善阵列输出的SINR，提升系统整体的抗干扰能力。尽管之前已有文献探讨了阵列优化设计，但这一主题仍然处于持续研究之中，表明了其在实际应用中的复杂性和持续挑战。 "多干扰情况下的自适应阵列设计"这篇文章为理解多干扰环境下的信号处理策略提供了深入的理论基础，对于从事相关领域研究的工程师和学者来说，是一份宝贵的参考资料。通过优化阵列设计，我们可以期望在复杂干扰环境中实现更高效、更稳健的信号处理效果。