CSD18502KCS-VB:N沟道40V TrenchFET MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"CSD18502KCS-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET,采用TO-220AB封装。这款MOSFET适用于同步整流和电源供应等应用,符合RoHS标准。其主要特性包括100%的Rg和UIS测试。在不同工作条件下,它能承受的最大电压、电流和功率都有明确的规格。例如,源漏电压VDS最大40V,栅源电压VGS最大±20V,连续漏电流ID在不同温度下有所不同,最大脉冲漏电流IDM可达350A。此外,它还具备特定的雪崩能量和电流能力。热性能方面,最大结壳热阻RthJC为0.33至0.4°C/W,最大结温至环境的热阻RthJA为32至40°C/W。"
CSD18502KCS-VB是一款由VBsemi公司提供的高性能N沟道MOSFET,它采用了先进的TrenchFET技术,这种技术通过在硅片上挖掘沟槽结构,实现了更低的电阻和更好的开关性能。TO-220AB封装确保了良好的散热能力和可靠性,适合在高功率应用中使用。
该MOSFET的主要特点之一是经过100%的Rg(栅极电阻)和UIS(不可逆雪崩击穿)测试,这表明器件在高电压和高速开关条件下的稳定性。Rg测试确保了栅极驱动时的控制精度,而UIS测试则验证了器件在承受过电压情况下的安全性。
在应用方面,CSD18502KCS-VB特别适合于同步整流,这是高效直流-直流转换器中的关键环节,可以降低损耗并提高效率。此外,由于其出色的电流处理能力,也常用于电源供应系统中,例如在大电流场合提供开关控制。
在电气参数方面,这款MOSFET的额定源漏电压VDS为40V,这意味着它可以承受40V的电压差而不损坏。栅源电压VGS的最大值为±20V,确保了宽范围的驱动电压兼容性。在不同温度环境下,连续漏电流ID有所不同,以适应各种工作条件。例如,在TC=25°C时,ID最大可达到180A,而在70°C时则为150A。
此外,CSD18502KCS-VB还具有一定的脉冲电流和雪崩能力,如单脉冲雪崩能量EAS达到320mJ,这意味着它能够在短时间内承受一定的过载而不会损坏。同时,它内置的源漏二极管允许在反向偏置时进行续流,最大连续源漏二极管电流IS在25°C时为110A。
热性能方面,MOSFET的热阻RthJC和RthJA决定了其在高功率运行时的散热性能。较小的RthJC值意味着从芯片到外壳的热量传递效率较高,而RthJA则反映了从芯片到周围环境的散热能力。在25°C时,最大结壳热阻RthJC为0.33°C/W,而最大结温至环境的热阻RthJA为32°C/W,这使得CSD18502KCS-VB在高功率应用中具有良好的热管理能力。
CSD18502KCS-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于需要高效能、大电流处理和良好热管理的电源系统设计。
2024-01-06 上传
2023-12-19 上传
2024-02-19 上传
2023-09-22 上传
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