CSD18502KCS-VB：N沟道40V TrenchFET MOSFET技术规格

"CSD18502KCS-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO-220AB封装。这款MOSFET适用于同步整流和电源供应等应用，符合RoHS标准。其主要特性包括100%的Rg和UIS测试。在不同工作条件下，它能承受的最大电压、电流和功率都有明确的规格。例如，源漏电压VDS最大40V，栅源电压VGS最大±20V，连续漏电流ID在不同温度下有所不同，最大脉冲漏电流IDM可达350A。此外，它还具备特定的雪崩能量和电流能力。热性能方面，最大结壳热阻RthJC为0.33至0.4°C/W，最大结温至环境的热阻RthJA为32至40°C/W。" CSD18502KCS-VB是一款由VBsemi公司提供的高性能N沟道MOSFET，它采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上挖掘沟槽结构，实现了更低的电阻和更好的开关性能。TO-220AB封装确保了良好的散热能力和可靠性，适合在高功率应用中使用。 该MOSFET的主要特点之一是经过100%的Rg（栅极电阻）和UIS（不可逆雪崩击穿）测试，这表明器件在高电压和高速开关条件下的稳定性。Rg测试确保了栅极驱动时的控制精度，而UIS测试则验证了器件在承受过电压情况下的安全性。 在应用方面，CSD18502KCS-VB特别适合于同步整流，这是高效直流-直流转换器中的关键环节，可以降低损耗并提高效率。此外，由于其出色的电流处理能力，也常用于电源供应系统中，例如在大电流场合提供开关控制。 在电气参数方面，这款MOSFET的额定源漏电压VDS为40V，这意味着它可以承受40V的电压差而不损坏。栅源电压VGS的最大值为±20V，确保了宽范围的驱动电压兼容性。在不同温度环境下，连续漏电流ID有所不同，以适应各种工作条件。例如，在TC=25°C时，ID最大可达到180A，而在70°C时则为150A。 此外，CSD18502KCS-VB还具有一定的脉冲电流和雪崩能力，如单脉冲雪崩能量EAS达到320mJ，这意味着它能够在短时间内承受一定的过载而不会损坏。同时，它内置的源漏二极管允许在反向偏置时进行续流，最大连续源漏二极管电流IS在25°C时为110A。 热性能方面，MOSFET的热阻RthJC和RthJA决定了其在高功率运行时的散热性能。较小的RthJC值意味着从芯片到外壳的热量传递效率较高，而RthJA则反映了从芯片到周围环境的散热能力。在25°C时，最大结壳热阻RthJC为0.33°C/W，而最大结温至环境的热阻RthJA为32°C/W，这使得CSD18502KCS-VB在高功率应用中具有良好的热管理能力。 CSD18502KCS-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、大电流处理和良好热管理的电源系统设计。