扫描干涉场曝光系统：周期设定对相位误差的影响

"本文主要探讨了扫描干涉场曝光系统中干涉条纹周期设定对曝光刻线相位的影响。通过对步进扫描曝光的数学建模和动态相位锁定原理的分析，研究了曝光刻线误差和曝光光栅周期的变化规律。实验结果显示，周期设定误差会导致周期性的刻线误差，并且曝光光栅的周期会随着周期设定值的改变而变化。具体来说，当周期设定误差较小，光栅周期接近设定值。在特定的系统参数下（如曝光光斑束腰半径0.9mm，曝光步进间隔0.6mm，曝光条纹周期555.6nm），相对误差低于278×10^-6时，刻线误差小于1nm。为了保证高曝光对比度（大于0.9），周期设定的相对误差需控制在92.6×10^-6以内，此时周期设定值和曝光光栅周期的变化范围为102.8pm。这些发现对于优化光栅制造过程和提高光栅质量具有重要意义。" 在扫描干涉场曝光系统中，干涉条纹的周期是一个关键参数，它直接影响相位锁定的效果。相位锁定系统通过精确控制曝光期间的相位，以实现高精度的光栅制造。由于实际设定值与理想值之间的偏差，相邻扫描间的相位拼接会出现误差，导致曝光刻线的不连续性。文章建立了一个数学模型来描述这种曝光过程，揭示了曝光刻线误差随周期设定误差的周期性变化。 曝光光栅的周期不仅受设定值影响，也与曝光过程的物理特性相关。当周期设定误差较小，光栅的实际周期与设定值基本一致。然而，当设定误差增大，光栅周期会随之发生改变。实验数据表明，对于特定系统配置，只有当周期设定的相对误差在极小范围内时，才能确保刻线误差低于1nm，这对于高精度光栅制造至关重要。 此外，文章还讨论了曝光对比度与周期设定误差的关系。高对比度是衡量光栅性能的一个重要指标，因此，周期设定的相对误差必须严格控制在92.6×10^-6以内，以保证曝光对比度大于0.9。这进一步限制了周期设定值和曝光光栅周期的允许变动范围，为实际操作提供了明确的指导。 本文的研究加深了我们对扫描干涉场曝光系统中周期设定影响的理解，为优化光栅制造工艺提供了理论依据，有助于提高光栅的质量和性能，特别是在需要高精度和高对比度的应用中。