"HAT1055RJ-EL-E-VB是一款由VB Semiconductor制造的双P沟道60V MOSFET,采用SOP8封装,适用于负载开关等应用。该器件具有低RDS(ON),在VGS=10V时为58mΩ,且具有-1~-3V的阈值电压。此外,它还是一款无卤素、采用TrenchFET技术的功率MOSFET,通过了100%UIS测试。"
HAT1055RJ-EL-E-VB的主要特性包括:
1. **无卤素**:该MOSFET不含有卤素成分,符合环保要求。
2. **TrenchFET PowerMOSFET**:采用沟槽结构技术,降低了导通电阻,提高了效率。
3. **100% UIS测试**:确保了设备在高电压瞬态条件下的安全性和可靠性。
该器件的应用领域广泛,主要应用于:
1. **负载开关**:由于其低RDS(ON)特性,适合在电源管理电路中作为高效能的开关元件。
产品参数如下:
- **VDS**:最大漏源电压为-60V,确保了在额定工作条件下的稳定性。
- **RDS(ON)**:在VGS=10V时,RDS(ON)典型值为58mΩ,这表示在导通状态下较低的内阻,意味着在导通时的功率损耗较小。
- **ID**:连续漏电流在不同温度下有所不同,例如在25°C时可达到-5.3A,在70°C时则降低至-32A。
- **Qg**:总栅极电荷为17nC,这影响开关速度,较低的Qg意味着更快的开关性能,减少开关损耗。
- **VGS**:门极-源极电压的最大值为±20V。
- **IS**:源漏二极管的连续电流,在25°C时为-4.1A,体现了MOSFET内部二极管的性能。
- **IAS**:单脉冲雪崩能量为20mJ,表明器件在雪崩条件下的耐受能力。
热特性方面:
- **最大结温**:允许的操作和存储温度范围是-55°C到150°C。
- **热阻抗**:给出了结到环境的热阻,影响器件在高功率工作时的散热性能。
在实际应用中,需要考虑这些参数以确保MOSFET在各种工作条件下能够安全、高效地运行。例如,对于大电流应用,可能需要考虑散热方案以保持结温在安全范围内。同时,根据系统需求选择合适的VGS以实现理想的开关性能。