MOS管组态放大电路详解:共源极、共漏极与共栅极
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更新于2024-08-06
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"场效应管组态放大电路模块的详细解析"
在电子科学中,场效应管(Field Effect Transistor, FET)是重要的半导体器件,常用于放大电路的设计。场效应管主要有三种基本组态放大电路:共源极放大电路、共漏极放大电路(也称为源极跟随器)以及共栅极放大电路。这些组态与双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)的共射极、共集电极和共基极电路具有相似的功能和特性。
共源极放大电路是场效应管最常用的放大配置,它在电路中作为电压增益器。在这个配置中,信号输入到栅极,而源极接地,漏极作为输出端。由于源极和漏极之间的电阻较大,这种配置通常提供较高的电压放大。图7.3.2(a)所示的MOS场效应管共源极放大电路中,MOS管用作漏极电阻,简化了集成电路的制作工艺。
共漏极放大电路,即源极跟随器,其特点是输出电压与输入电压几乎相等,但电流增益较高。图7.3.2(b)展示了有源负载的共漏极电路,其中MOS管电流镜作为漏极电阻,这种设计能以较小的电流和电压提供较大的电压增益。M1和M2并联后的漏极电阻可达到很高的值,如兆欧级别,提高了电路的性能。
共栅极放大电路则主要用于电流增益,其输入和输出电压都与栅极相关,适用于需要高输入阻抗的应用。
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幽灵机师
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