8-Gbit MLC NAND Flash Memory - NAND08GW3D2A

"NAND08GW3D2A是一款多层单元（MLC）非易失性闪存记忆体，属于4224字节页的NAND闪存家族。该设备具有8 Gbits的密度，适用于3 V电源操作。这款产品是初步信息，可能在开发或评估阶段，细节可能会在未经通知的情况下发生变化。" NAND08GW3D2A是一款由NAND闪存技术构建的高密度多层单元（MLC）存储设备，主要特点在于其高效能和适用于大规模存储应用的低成本解决方案。它拥有8 Gbits的内存阵列，以及256 Mbits的备用区域，这使得它在数据存储方面具备了较高的容量和灵活性。 该设备采用NAND接口，支持8位总线宽度，并且地址和数据是复用的，简化了系统设计。工作电压范围在2.7V到3.6V之间，确保了在不同电源环境下的稳定运行。每个页面大小为4096字节数据区加上128字节的备用区，而块大小则为512K字节数据区加上16K字节的备用区，这种设计便于进行大容量的数据管理和擦除操作。 NAND08GW3D2A采用了多平面架构，将内存阵列分成两个独立的平面，允许同时对两个平面执行所有操作，提高了数据处理的速度和效率。内存单元阵列由(4K+128)字节乘以128页再乘以4096个块组成，提供了大量存储空间。 在性能方面，该设备具有快速的随机和顺序访问能力，随机读取时间最大为60微秒，顺序访问速度最小为25纳秒。页面编程操作时间典型值为800微秒，而进行多页面（如2页）编程的时间也是800微秒。此外，NAND08GW3D2A支持快速的回写程序（Copy-back program），能够高效地进行页面复制。块擦除时间典型值为2.5毫秒，对于两个块的多块擦除操作，时间同样为2.5毫秒。状态寄存器功能允许用户监控和控制各种操作的状态，确保了编程和擦除过程的可靠性。 NAND08GW3D2A是一款高效、高密度的MLC NAND闪存芯片，适用于需要大容量存储和快速读写操作的移动设备和消费电子应用。其多平面架构和优化的操作特性使其在数据处理速度和能源效率方面表现出色，是实现大规模存储解决方案的理想选择。