西安交通大学杨建国教授新概念模电课件：场效应晶体管解析

"新概念模拟电路上课课件2，由西安交通大学杨建国教授主讲，内容涵盖晶体管、场效应晶体管的工作原理、放大电路、管脚定义、伏安特性和状态判断，以及静态和动态电路分析。" 新概念模电课程是针对模拟电子技术的深入学习，本课件主要由西安交通大学的杨建国教授讲解。杨教授是教授级博士生导师，专攻测试计量技术及仪器，特别是在精细信号产生和检测、生物电检测以及模拟电子技术领域有深厚的研究，如放大、滤波和模数转换等。他的联系方式包括电子邮件和办公电话，以便学生在学习过程中遇到问题时能够及时咨询。 课程内容聚焦于晶体管，特别是场效应晶体管（FET）。FET分为两大类：JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。JFET有N沟道和P沟道两种，类似于双极型晶体管的NPN和PNP结构。MOSFET则更复杂，N沟道中又有增强型和耗尽型之分。FET的三个主要引脚分别为：G（门极）、D（漏极）和S（源极），这些术语与双极型晶体管的b、c和e相对应。 课程还详细介绍了JFET和MOSFET的伏安特性以及状态判断。通过转移特性和输出特性曲线，学生可以理解并判断FET处于恒流区还是可变电阻区。例如，N沟道JFET的UGSOFF和VIDSS参数可以帮助判断其工作状态。对于MOSFET，N沟道增强型与耗尽型的主要区别在于阈值电压UGSTH是否小于0V。 在电路设计部分，课程探讨了场效应管的静态（偏置）电路，如3电阻MOSFET和4电阻MOSFET的配置，以及如何通过联立方程求解静态工作点。此外，还引入了图解法来帮助学生直观理解电路工作原理。动态模型和动态分析也是课程的重点，旨在帮助学生掌握FET在信号处理中的行为。 这个新概念模电上课课件2提供了全面而深入的场效应晶体管理论知识和实践应用，是学习模拟电子技术不可或缺的学习资料，尤其适合对电子工程感兴趣的初学者和进阶者。