半导体存储器详解：RAM与ROM类型比较

本篇文档主要介绍了计算机组成中的微机原理部分，着重讨论了半导体存储器这一核心知识点。在第四章，内容涵盖了存储器的概述、分类以及半导体存储器的关键特性，包括存储容量和存取速度的定义与计算。具体来说： 1. 存储器分类： 存储器根据其特性和用途被划分为内部存储器（如半导体存储器，包括静态RAM和动态RAM）和外部存储器（如只读存储器ROM、磁介质存储器、光介质存储器）。它们各自具有不同的读写机制和性能特点。 2. 存储容量： 存储容量是衡量存储器的重要参数，以二进制位(bit)为单位，通过存储单元数量和每个单元的位数来计算。例如，1K×4位表示1024个存储单元，每个单元有4位。 3. 存取速度： 存取速度包括读写周期，即两次连续操作之间的时间间隔，以及存储器带宽，即单位时间内可以读写的数据量。动态RAM由于采用了电容储能的原理，虽然存取速度快但需要定期刷新，而静态RAM则无需刷新，但集成度相对较低。 4. 只读存储器（ROM）： ROM是只能读取而不能修改数据的存储器，常见的类型有掩膜/固定ROM、一次可编程PROM和紫外线可擦除EPROM等，它们的写入方式不同，但一旦数据写入，就无法更改。 5. 随机访问存储器（RAM）： RAM根据工作方式的不同分为静态RAM和动态RAM。静态RAM使用双稳态触发器保持数据，但功耗较大；动态RAM利用电容存储数据，功耗小，集成度高，但需要定期刷新。动态RAM的读出过程涉及预充电和放大器读出电压差，而刷新通常通过整行读操作来完成。 6. 内存条设计： 文档提到了30线SIMM内存条的设计，它支持8位数据传输，加上奇偶校验位，共有11位地址线，这体现了内存条在系统中的具体连接方式。 通过对这些内容的学习，读者可以深入理解计算机存储器的工作原理，有助于提升对微机原理和半导体技术的理解。这对于进一步学习计算机硬件和系统设计具有重要的参考价值。