英飞凌IPT029N08N5 MOSFET芯片中文规格书

"IPT029N08N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPT029N08N5芯片的中文规格书，详细介绍了这款OptiMOSTM 5系列的功率MOSFET器件。OptiMOSTM 5是一款适用于高频开关和同步整流的高性能晶体管，其主要特性包括： 1. 高频率切换和同步整流的理想选择：该芯片设计优化了高频操作，适合在高频率下进行高效能电源转换。 2. 出色的门极电荷乘以导通电阻（FOM）产品：门极电荷与导通电阻的乘积非常低，这使得在开关操作时，能量损失减少，效率提高。 3. 极低的导通电阻（RDS(on)）：最大导通电阻仅为2.9毫欧，这意味着在导通状态下，器件的内部电阻非常小，能有效降低工作时的功率损耗。 4. N沟道，正常电平：该器件采用标准的N沟道设计，适用于常见的电源管理应用。 5. 通过100%雪崩测试：确保了芯片在过压条件下的可靠性。 6. 环保无铅电镀，符合RoHS标准：符合欧盟对有害物质的限制要求，且不含卤素，符合IEC61249-2-21的标准，体现其环保属性。 7. 按照JEDEC标准进行资格认证：表明该器件已通过业界公认的可靠性测试，适用于目标应用。 规格书中还包含了关键性能参数，如最大电压VDS为80伏，最大电流ID为169安培，门极电荷QG(0V..10V)为70纳库仑，以及总栅极电荷Qoss为83纳库仑。此外，文档还详细列出了最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图以及封装轮廓等信息，方便用户了解和评估该芯片在实际应用中的性能。 IPT029N08N5芯片采用PG-HSOF-8封装，其标识码为029N08N5。该规格书还包括修订历史、商标信息和免责声明等内容，以供参考。 总结来说，IPT029N08N5是一款高性能、低损耗、环保的功率MOSFET，适用于要求高效、低损耗电源转换的场合，如开关电源、电机驱动等应用。其优秀的电气特性和可靠的工艺使其成为高频率电源解决方案的理想选择。