纳米多孔硅中石墨烯量子点荧光特性研究

“Properties of fluorescence based on the immobilization of graphene oxide quantum dots in nanostructured porous silicon films”探讨了石墨烯氧化物量子点（GOQDs）在纳米结构多孔硅（PSi）薄膜中的荧光性质。研究通过将活化的GOQDs溶液滴涂到硅烷化PSi样品上，成功地将GOQDs渗透到PSi器件中。实验结果显示，位于其荧光光谱范围内的高反射带的多层GOQD渗透层的荧光强度大约是单层样品的两倍，这表明多层GOQD渗透的PSi基底是一种适合制备高灵敏度光致发光传感器的材料。 这篇论文由蕾何、贾振红和周骏合作完成，分别来自新疆大学理学院和信息科学与工程学院以及宁波大学物理系。文章于2015年10月22日接收，2016年1月25日接受，并于2016年3月28日在线发布。 石墨烯氧化物量子点因其独特的光学性质，如高荧光效率和尺寸可调性，在各种应用中备受关注。在这项研究中，作者重点研究了GOQDs如何在PSi纳米结构中固着并影响其荧光特性。PSi因其独特的光学和电学性能，如高比表面积和可控的孔径结构，常被用于光电子器件和传感器。通过GOQDs的渗透，可以增强PSi的荧光性能，这对于开发新型光电器件和生物传感技术具有重要意义。 实验结果表明，多层GOQDs的存在增强了荧光信号，这可能归因于GOQDs在PSi纳米孔中的多重散射和共振能量转移效应。这种增强的荧光强度为构建高灵敏度的光致发光传感器提供了可能性，这些传感器可能用于检测环境污染物、生物分子或其他化学物质。 这项研究揭示了GOQDs在PSi中的固着如何改变其荧光性质，为设计和优化基于量子点的光电子传感器提供了一种新的策略。这一工作对于理解量子点与纳米结构材料相互作用的机理以及开发高性能传感器技术具有深远的科学价值和实际应用潜力。