APM4935KC-TRG-VB：双P沟道30V MOSFET技术规格

"APM4935KC-TRG-VB是VB Semiconductor公司生产的一款双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装，适用于负载开关等应用。该器件具有低RDS(ON)、100%UIS测试、无卤素和TrenchFET技术等特点。" APM4935KC-TRG-VB是一款双P-Channel MOSFET，设计用于高效能电源管理，尤其是在需要控制电流流动的电路中。它的工作电压最高可达-30V，连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在25°C时可达到-7.3A，而在70°C时则降至-3.2A。这个特性使得该器件适合用作电源开关，特别是在需要高电流承载能力的应用中。 该MOSFET的栅源电压范围为±20V，而其典型的RDS(ON)在VGS = -10V时为35mΩ，这表示在低电压下仍能保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗。RDS(ON)在VGS = -4.5V时提高到45mΩ，但仍然保持在相对较低的水平，确保了良好的开关性能和效率。 此外，APM4935KC-TRG-VB的阈值电压（Vth）为-1.5V，这是控制MOSFET导通和截止的关键参数。器件还内置了体二极管，允许在反向电压条件下安全地处理电流。脉冲漏极电流（DM）和连续源漏极二极管电流（IS）的规格表明该MOSFET能够在短时间内承受大电流冲击，同时其雪崩能量（AS）和单脉冲雪崩能量的限制确保了设备在过载条件下的稳定性。 热特性方面，MOSFET的最大功率耗散（PD）在25°C时为5.0W，而随着温度升高，这一数值会降低。热阻（θJA和θJC）的指标提供了关于如何评估和管理MOSFET在工作时产生的热量的信息。 APM4935KC-TRG-VB是一款适合于各种电源和负载开关应用的高性能P-Channel MOSFET，其低RDS(ON)，100%UIS测试和紧凑的封装使其在便携式设备、电池管理系统、电机驱动和其他功率转换系统中具有优势。无卤素的特性也符合了现代电子设备对环保的要求。