APM4935KC-TRG-VB:双P沟道30V MOSFET技术规格

PDF格式 | 230KB | 更新于2024-08-03 | 77 浏览量 | 0 下载量 举报
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"APM4935KC-TRG-VB是VB Semiconductor公司生产的一款双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOP8封装,适用于负载开关等应用。该器件具有低RDS(ON)、100%UIS测试、无卤素和TrenchFET技术等特点。" APM4935KC-TRG-VB是一款双P-Channel MOSFET,设计用于高效能电源管理,尤其是在需要控制电流流动的电路中。它的工作电压最高可达-30V,连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同,例如在25°C时可达到-7.3A,而在70°C时则降至-3.2A。这个特性使得该器件适合用作电源开关,特别是在需要高电流承载能力的应用中。 该MOSFET的栅源电压范围为±20V,而其典型的RDS(ON)在VGS = -10V时为35mΩ,这表示在低电压下仍能保持较低的导通电阻,从而减少导通损耗。RDS(ON)在VGS = -4.5V时提高到45mΩ,但仍然保持在相对较低的水平,确保了良好的开关性能和效率。 此外,APM4935KC-TRG-VB的阈值电压(Vth)为-1.5V,这是控制MOSFET导通和截止的关键参数。器件还内置了体二极管,允许在反向电压条件下安全地处理电流。脉冲漏极电流(DM)和连续源漏极二极管电流(IS)的规格表明该MOSFET能够在短时间内承受大电流冲击,同时其雪崩能量(AS)和单脉冲雪崩能量的限制确保了设备在过载条件下的稳定性。 热特性方面,MOSFET的最大功率耗散(PD)在25°C时为5.0W,而随着温度升高,这一数值会降低。热阻(θJA和θJC)的指标提供了关于如何评估和管理MOSFET在工作时产生的热量的信息。 APM4935KC-TRG-VB是一款适合于各种电源和负载开关应用的高性能P-Channel MOSFET,其低RDS(ON),100%UIS测试和紧凑的封装使其在便携式设备、电池管理系统、电机驱动和其他功率转换系统中具有优势。无卤素的特性也符合了现代电子设备对环保的要求。
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