HAT1024R-VB双P沟道30V MOSFET技术规格

"HAT1024R-VB是一款双P沟道的30V(SOP8封装)MOSFET，采用TrenchFET®技术，并且通过了100%UIS测试，适用于负载开关等应用。产品特性包括无卤素设计，以及在不同条件下的电流、电阻和功率耗散等参数。" HAT1024R-VB是来自某知名制造商的一款半导体器件，主要特点是采用了先进的TrenchFET®技术，这是一种沟槽结构的MOSFET设计，其优点在于能提供更低的导通电阻（RDS(on)），从而提高效率并减少发热。这款MOSFET是双P沟道类型，意味着它有两条P沟道通道，可以在栅极电压为负值时导通，常用于逻辑控制电路和电源管理。 器件的关键参数包括： 1. **最大漏源电压** (VDS)：-30V，表示MOSFET能承受的最大电压差。 2. **导通电阻** (RDS(on))：在VGS = -10V时典型值为0.029Ω，而在VGS = -4.5V时为0.039Ω。较低的导通电阻意味着在导通状态下流过器件的电流时损耗更小。 3. **连续漏极电流** (ID)：在不同温度下有不同的最大值，如25°C时为-7.3A，70°C时为-5.9A。 4. **脉冲漏极电流** (IDM)：最大值为-32A，用于短时间的大电流脉冲。 5. **连续源漏二极管电流** (IS)：在25°C时为-4.1A，说明MOSFET内建的体二极管可以作为反向电流路径。 6. **雪崩电流** (IAS)：单脉冲最大值为-20A，表明MOSFET具有一定的雪崩耐受能力。 7. **单脉冲雪崩能量** (EAS)：20mJ，定义了器件在雪崩条件下可承受的最大能量。 8. **最大功率耗散** (PD)：在不同温度下，最大功率耗散值不同，如25°C时为5.0W，70°C时为1.6W。 9. **热特性**：包括最大结到环境的热阻抗（Theta JA），这决定了器件如何散热，影响其在高功率工作时的稳定性。 这些参数对于理解HAT1024R-VB在实际电路中的性能和应用非常重要。例如，在设计负载开关应用时，需要考虑其电流承载能力和热耗散能力，以确保器件不会过热。此外，由于其无卤素设计，符合了环保要求，使其在现代电子设备中更受欢迎。HAT1024R-VB是一种高性能、环保的双P沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗和可靠性的电路设计。