童诗白《模拟电子技术》第三版习题答案详解

《模拟电子技术基础》第三版习题答案涵盖了第一章关于半导体器件的基础知识，包括判断题、选择题和实际电路分析。本章内容主要涉及以下几个知识点： 1. **半导体类型转换** - 在N型半导体中掺入适量的三价元素可以将其转变为P型半导体，这是正确的（第1题）。 2. **半导体性质** - N型半导体的多子是自由电子，但整体并不带负电，因为多子的电性与空穴相反（第2题）。 3. **PN结特性** - PN结在无光照和外加电压下，由于少数载流子平衡，结电流确实为零（第3题）。 4. **晶体管放大原理** - 晶体管在放大状态下的集电极电流并非由多子漂移运动直接形成，而是通过控制基极电流来实现的（第4题错误）。 5. **场效应管工作条件** - 结型场效应管需施加栅-源反向电压，以保持耗尽层厚实，从而提高输入电阻（第5题正确）。 6. **MOS管特性** - 耗尽型N沟道MOS管，当UGS（栅-源电压）大于零时，其输入电阻不会明显减小，反而可能因为阈值电压的影响而增大（第6题错误）。 7. **二极管和PN结行为** - PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄；二极管的电流方程在恒温下由电压与指数函数关系给出（第7、8题）。 8. **稳压管工作区域** - 稳压管在反向击穿区提供稳定的电压输出（第9题）。 9. **晶体管放大区** - 当晶体管工作在放大区时，发射结正偏而集电结反偏，以利于电流放大（第10题）。 10. **场效应管类型** - 结型管和增强型MOS管可以在UGS=0V时进入恒流区工作（第11题）。 11. **电路分析** - 提供了几个典型电路的输出电压计算，如二极管桥接电路、稳压电路和晶体管负载线的绘制（第12、13题）。 12. **功率计算与过损耗区** - 通过晶体管的集电极最大耗散功率计算临界过损耗区，即当功率超过限制时，晶体管可能损坏的区域（第14题）。 13. **电源电压与输出电压** - 在具体电路中，给出了稳压电路的输出电压以及晶体管输出特性的应用（第15题）。 通过解答这些问题，学习者可以巩固对模拟电子技术基础的理解，包括半导体器件的性质、电路分析方法以及常见元件的工作原理和应用。