DMG3413L-7-VB：SOT23封装P-Channel MOSFET技术规格

"DMG3413L-7-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管，适用于低电压、中等电流的应用。该器件具有低导通电阻（RDS(ON)）和小巧的封装尺寸，适合在空间有限的电路设计中使用。其主要特性包括：-20V的最大漏源电压（VDS），-4A的连续漏极电流（ID），以及在不同栅极电压下的不同导通电阻。此外，还提供了热性能参数和绝对最大额定值，确保在各种工作条件下具有良好的稳定性与可靠性。" DMG3413L-7-VB是一款由VB Semiconductor生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其封装形式为SOT23，这是一种小型表面贴装封装，适合于需要节省空间的电路设计。这款MOSFET的主要电气特性包括： 1. **导通电阻 (RDS(ON))**：在不同的栅极电压下，RDS(ON)有不同的值。例如，在VGS = 4.5V时，RDS(ON)为57毫欧，这表示当MOSFET开启时，流过通道的电阻较低，有利于降低功耗。 2. **漏源电压 (VDS)**：最大漏源电压为-20V，这意味着源极和漏极之间可以承受的最大电压差为-20V。 3. **漏极电流 (ID)**：连续漏极电流在室温下为-4A，意味着在正常工作条件下，MOSFET可以持续通过的最大电流。 4. **栅源电压 (VGS)**：MOSFET的阈值电压（Vth）约为-0.81V，这意味着为了使MOSFET导通，栅极相对于源极需要施加的最小电压。 5. **热性能**：MOSFET的热阻抗（RthJA）典型值为75°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，结温会上升75°C。而最大结壳热阻（RthJF）为50°C/W，表示从芯片到封装脚的热阻。 6. **脉冲漏极电流 (DM)** 和 **连续源漏二极管电流 (IS)**：允许短时间通过的脉冲电流和二极管反向电流的额定量，确保器件在瞬态工作状态下的稳定性。 7. **最大功率耗散 (PD)**：在不同温度下，MOSFET的最大允许功率损耗分别为2.5W（25°C）和1.6W（70°C）。 8. **工作和存储温度范围**：-55°C至150°C，保证了MOSFET在广泛的工作环境中仍能保持良好的性能。 该器件特别强调其低卤素含量，符合环保标准，适用于对环境友好型电子产品的设计。DMG3413L-7-VB是适用于电源管理、开关应用和其他需要高效能、小体积P沟道MOSFET的场合。