Micron 16G NAND Flash Memory MT29F16G08FAAWC技术规格
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更新于2024-07-22
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"MT29F16G08FAAWC是Micron公司的一款16G NAND Flash存储器,采用单级单元(SLC)技术,提供高速度和高耐用性的存储解决方案。该产品的主要特点包括其组织结构、读写性能、数据保留能力和耐久性等关键指标。"
MT29F16G08FAAWC是Micron Technology生产的一款16G NAND闪存芯片,基于SLC(Single-Level Cell)技术,这意味着每个存储单元仅存储一位数据,提供了比多级单元(MLC或TLC)更高的读写速度和更长的数据保留时间。这种类型的闪存广泛应用于需要高速读取和高可靠性的系统中,例如服务器、数据中心和高端移动设备。
在组织结构方面,MT29F16G08FAAWC的页面大小为2,112字节(2,048字节用户数据区加上64字节的额外信息),每页8位宽。块大小由64个页面组成,每个块包含128K字节(加上4K字节的额外信息)。整个设备分为多个平面,对于4Gb、8Gb和16Gb版本,平面大小分别为4,096、8,192和16,384个块。
在性能方面,MT29F16G08FAAWC展现出优秀的读写速度。随机读取速度最快可达25微秒(MAX),而顺序读取速度最慢也有25纳秒(MIN),确保了快速的数据访问。编程页操作的典型时间为220微秒,块擦除操作的典型时间为1.5毫秒,这些性能参数使得该设备适合对速度有严格要求的应用。
数据保留能力是NAND Flash的重要特性,MT29F16G08FAAWC能保证数据在10年内不会丢失。耐久性方面,它可以承受100,000次编程/擦除(P/E)循环,远超过许多其他类型的闪存。此外,首块(地址为00h)保证在1,000次P/E循环内仍然有效,这增加了对关键数据的安全保障。
此款NAND Flash还支持行业标准的基本NAND闪存命令集,并且扩展了一些高级命令,如编程页缓存模式和页读取缓存模式,这些功能可以优化数据处理效率并提升系统性能。一次编程(One-Time Programmable, OTP)区域可能用于存储固定的、不可更改的信息。
MT29F16G08FAAWC是一款针对高性能、高可靠性和长久数据保留需求设计的NAND Flash存储器,适用于各种需要高效数据存储和处理的场景。由于规格可能会随着Micron公司的更新而变化,使用者应时刻关注最新的产品资料以获取最新信息。
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