FPGA与SDRAM相位角计算详解：参数获取与公式应用

本文档详细介绍了如何在EDA（电子设计自动化）环境中进行SDRAM（静态随机存取存储器）相位角的计算。作者戚栋栋分享了使用FPGA（现场可编程门阵列）与MT48LC16M16A2 SDRAM芯片进行协同设计时所需的关键步骤和参数。 首先，作者强调了获取参数的重要性，这些参数包括SDRAM的TDS（输入数据建立时间）、TDH（输入采样保持时间）、THZ（输出高阻时间）、TOH（输出保持时间）等，这些数据可以从SDRAM的数据手册中获得，通过查阅手册中的具体表格或截图来获取标记为黄色的关键参数。 在FPGA设计阶段，作者指导读者设置时间分析设置模式，确保能正确识别和提取需要的时序参数，如TCOMAX、Tsumax、THmax等。通过编译后的时间分析工具，用户能够找到这些参数的具体数值。对于TCOMIN，用户需要通过启动经典时序分析器来确定其最小值。 接下来，文章介绍了相位角的计算公式，包括读滞后（Toh - Thmax）、写滞后（Tclk - TCOMAX）、读超前（Tcomin - TDH）和写超前（Tclk - THz - Tsumax）。通过这些公式，作者计算出一个特定的相位延迟值，即-4.1575 ns，这是在给定时钟频率（29.5 MHz * 4）下的重要设计参数。 最后，文档展示了如何将计算出的相位延迟值应用于PLL（锁相环路）参数的设置，并对整个流程进行了总结。作者提供自己的电子邮件地址作为交流平台，鼓励读者在遇到问题时进行讨论。 这篇文档提供了全面的指南，涵盖了从SDRAM参数收集、FPGA设置、时序分析到最终的相位角计算，对于从事嵌入式系统设计或FPGA与SDRAM集成的工程师来说，是极其实用的参考资料。