蒸汽压对微电子可靠性的影响及超疏水纳米复合涂层的有效性研究

384工程第1卷·第3期·2015年9www.engineering.org.cn研究先进材料-文章工程2015，1（3）：384-390DOI 10.15302/J-ENG-2015034蒸汽压和超疏水纳米复合涂层对微电子可靠性的影响范学军1，2*，陈良彪1，C.P. Wong3，Hsing-Wei Chu1，G.Q. Zhang4.5摘要在高温高湿的环境中，高蒸汽压会导致器件失效，因此蒸汽压建模对于研究微电子器件的潮湿可靠性至关重要。为了最大限度地减少蒸汽压力的影响，可以在设备的外表面上施加超疏水（SH）涂层，以防止水分渗透。然而，SH涂层增强器件可靠性的潜在机制仍然没有完全理解。在本文中，我们提出了几个现有的理论预测微电子材料内的蒸汽压。此外，我们讨论了SH涂层的机制和有效性，防止水蒸气进入器件，根据实验结果。两个理论模型，基于微观力学的全场蒸汽压模型和对流扩散模型，描述了预测蒸汽压。这两种方法已被成功地用于解释未涂层样品的实验结果。然而，当用SH纳米复合材料涂覆装置时，仍然观察到重量增加，这可能是由于蒸汽渗透通过SH表面。这种现象可能会对SH涂层在微电子器件中的有效性产生怀疑。根据现有的理论和实验结果，我们得出结论，有必要发展一种新的理论来理解水蒸气如何渗透SH涂层并影响下面的材料。这种理论可以大大提高微电子的可靠性。关 键 词 蒸 汽 压 、 湿 度 、 半 导 体 可 靠 性 、 微 机 电 系 统（MEMS）、超疏水、纳米复合涂层1引言当生产微电子器件的组件时，在全球不同地区，微电子材料，例如聚合物散热剂和芯片附着薄膜，在运输和储存过程中不可避免地会从潮湿的环境中吸收一定量的水分。吸收的水分可能对器件可靠性有害，最终导致有害影响，如材料老化[1]、吸湿膨胀、界面弱化和分层[2-4]以及材料强度抑制[5-7]。此外，在焊接回流过程中，整个封装器件必须暴露在高达220-270 °C的极高温度下。因此，设备中的高分子材料吸收的水分将经历可产生相变和极高的内部蒸汽压。因此，聚合物材料在蒸汽压和热应力的联合作用下受到应力，导致爆米花状失效[3]。为了减少水分吸收和高蒸汽压引起的潜在损坏，可以将表面涂层应用于包装器械，例如采用纳米复合材料技术的超疏水（SH）涂层[8-12]。SH表面设计的一般原则是：①使表面能最小;②增加表面粗糙度。涂有SH材料的表面通常具有优异的防水性能，并显示出大的水接触角（> 150°）和小的滞后（10°）[8，9，13]。类似的表面可以在许多自然物体上找到，例如荷叶。这些表面通常将微米和纳米粗糙度与低自由能涂层相结合[15]。尽管SH涂层是一种潜在的低成本和高可靠性的微电子封装解决方案，但仍有报告称涂层后会发生水分蒸发[16]。然而，这种水分吸收的基本机制不能用目前的水分传输理论来解释在本文中，我们描述了现有的方法，使聚合物内的蒸汽压的评价，1拉马尔大学机械工程系，Beaumont，TX 77710，USA;2固态照明国家重点实验室，北京100083;3佐治亚理工学院材料科学与工程学院，亚特兰大，GA 30332-0245，USA;4代尔夫特理工大学，Delft 2600 AA，Netherlands;5中国科学院半导体研究所，北京100083，China* 通讯作者。电子邮件地址：www.example.comxuejun.fan @ lamar.edu接收日期：2015年6月23日;接收日期：2015年7月4日;接受日期：2015年9月16日作者（S）2015出版社：Engineering Sciences Press这是CC BY许可下的开放获取文章（http：//creativecommons.org/licenses/by/4.0/）385www.engineering.org.cn第1卷·第3期·2015年9月工程先进材料-物品研究20将蒸汽2.1 基于细观力学的全场TpgTG（三）水的有效SH涂层。我们还讨论了用于生成SH表面的方法，然后讨论了SH涂层后在各种环境条件下的内吸光行为。2 蒸汽压模拟蒸汽压模型已经开发了一个全场蒸汽压模型来预测焊接回流过程中的蒸汽压，并已成功应用于许多问题[19]。由于大多数微电子材料是典型的聚合物复合材料，该模型假设大部分吸收的水分RM2000式中ρg（T）为给定温度下的饱和蒸汽压，气体常数R= 8.314 J·（mol· K）蒸汽压可以通过比较ρ和ρg来估算：RT高蒸气压是 被认为是器械的主要原因在空隙或聚合物-填料界面处收集[16]。因为已经发现空隙中的水分密度可以p莫哈末·奥阿努什克p，g（四）失 效（ 参 见 图1 中 的芯 片 连 接薄 膜 破裂）。模拟蒸汽压和蒸汽流也可以帮助研究人员充分了解涂有SH纳米复合材料的材料中的水分传输。许多理论模型比周围的水分密度高几个数量级，可以得出结论，在材料中存在液态水[19]。因此，在聚合物中存在的水必须有两种不同的状态：纯气相和液体和蒸气的混合物注意，如果由于温度变化而存在热膨胀，则上述方程仍然有效。对于这种情况，水分浓度可能会随着材料体积的变化而变化，其可以通过以下关系式计算：已经开发出解决蒸汽压力和相关可靠性的方法por阶段，如图2所示。dV dV0 年12月3日（五）问题[17-20]。在下面的讨论中，我们提出了两种不同的方法，这两种方法都被充分地用来解释实验测试。由于蒸汽压总是与水分行为有关，因此蒸汽压与水分行为之间的关系是确定的其中ΔT是温差，α是热膨胀系数。因此，膨胀后的水分浓度变为：CdmdVd mdV0C（1 3）（6）dV0 dV确定性和水分浓度是不同蒸汽压模型的关键特征。图2.在其孔隙中具有两种不同水分状态的聚合物材料的示意图[5]。通过引入孔隙率ρ，材料中吸收的水分的密度（ρ）可以计算为：其中dm是水分质量，dV是代表性单元体积。全场蒸汽压模型包括一个新的场变量，它代表空隙体积的分数。显然，蒸汽压的准确预测依赖于空隙变形，并且蒸汽压模型与固体变形的耦合是必要的。C（一）这是一个公认的事实，微孔隙其中C是水分浓度。水分浓度可通过求解瞬态水分扩散方程获得，该方程基于菲克定律，并在此处提供：将导致微电子器件的机械故障（例如，界面分层和图 3 给 示例 使用C（C）（二）全场蒸汽压模型。根据建模结果[6]，两个图1.（a）6 × 6阵列芯片级封装（CSP）面板上的扫描声学显微镜图像（黑色区域表示封装内部的故障）;(b)芯片附着膜在其附着到衬底的底层处破裂和空洞。其中D表示水分扩散率。孔隙率通常是一种固有的材料特性，对于典型的聚合物，其范围为1%至10%。蒸汽压的计算从确定空隙中的水分状态开始。如果空隙中只含有蒸汽，且蒸汽压达到饱和点，则饱和湿密度ρg可根据理想气体定律表示：可以确定主要因素：回流曲线和衬底厚度。结果发现，可以仔细设计回流曲线，以满足联合电子器件工程委员会（JEDEC）标准，并降低故障率。如图3（a）所示，在回流曲线a（其具有缓慢的斜坡速率）下，存在水分从二元状态到单一蒸汽状态的转变点，并且蒸汽压力为研究先进材料-文章386工程第1卷·第3期·2015年9www.engineering.org.cnp递减2.32 MPa0.48 MPa转变点回流曲线a0.02 MPa4.69 MPa回流曲线b0.02 MPa0.48 MPa2.32 MPa随着温度的进一步升高，由于水分的损失，温度肯定会下降。相比之下，对于回流曲线b（具有快速斜坡率），水分始终处于二元液体/蒸汽状态，如图3（b）所示。因此，回流曲线b下的蒸汽压总是与饱和蒸汽压相同，饱和蒸汽压随温度呈指数增加，并且最终可能达到材料的临界应力以导致断裂。还发现，基材厚度的轻微增加可以允许更快的水分逸出，从而降低材料失效的可能性。已实施这些发现，以提高材料可靠性[6]。固体基质水汽对流27024021018015012090图4. CD模型的示意图[18]。60中文（简体）（七）3000 60 120 180 240 300 360回流时间（s）（a）m v m其中ρv是蒸汽密度，ρw代表固体基质中溶解水的浓度。应用质量守恒定律并包括蒸汽通量和扩散通量，得到以下方程：270中文（简体）240特鲁姆特（8）210180150由方程式(8)在这种情况下，蒸汽的焓用J（ρv）表示，可用达西定律来描述120J（）vkpk赛车（T）Rw（T）（九）603000 60 120 180 240 300回流时间（s）（b）第（1）款图3.不同热历史下的蒸汽压演化[6]。(a)恢复低曲线a，率2.2 统一的蒸汽压模型在经典的水分扩散模型中，其中Rw是水的气体常数（461.89 J·（mol·K）一般来说，渗透率k与孔隙度有关[21]，对温度的依赖性很小[22]。水蒸气的粘度对于给定的温度是已知的，并且该数据可在CRC化学和物理手册中获得。CD模型还考虑了固体基质中的扩散波，在方程中表示为J（ρw）。(8)通过使用经典的Fick定律：水分输送的压力常常被忽视。去骗-J（w）D（T）w（十）考虑到水扩散和蒸汽流动，最近开发了对流-扩散（CD）模型[18，20]，并通过实验测试进行了验证。在CD模型中，聚合物被认为是多孔的，其中固体基质中的溶解水浓度ρw可以用液体和蒸汽之间的化学平衡来描述[23，24]，使用亨利由固体基质和孔隙组成的介质所示埃夫 Bpp（十一）如图4所示，蒸汽存在于微空隙中，而液态水溶解在固体基质中。因此，在固体基质中存在经典的水分扩散，蒸汽流通过孔隙网络存在。其中，B是材料属性。最后，通过替换Eqs。(9)，（10），（ 11 ） ，（ 12 ） ，（ 13） ，（ 14） ，（ 15 ） ，（ 16 ） ，（17），（18），（19）(8)，可以获得蒸气压模型：多孔材料固体基质（1孔隙（μρwρv温度（°C）温度（°C）90先进材料-物品研究387www.engineering.org.cn第1卷·第3期·2015年9月工程根据图4，总水密度ρ可以是前-p TBp pk BD2被问及MRt（1日本语中文（简体）中文（繁体）한 국G研究先进材料-文章388工程第1卷·第3期·2015年9www.engineering.org.cnVE请注意，此模型还包括对流项作为扩散项，这就是为什么它被称为CD模型。与全场蒸汽压模型不同，CD模型直接求解蒸汽压.一旦获得蒸汽压，水分浓度可以使用方程确定。（7）。在必须评估蒸汽压的情况下，直接求解蒸汽压为设计聚合物或聚合物复合材料提供了一种方便的方法，例如在电子封装行业中使用的焊接回流工艺此外，由于蒸汽压总是连续的，0.000.050.100.150.200.250.30实验CD适配处理时不需要对CD模型进行归一化0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0T/T与多种材料。 这是一个很大的优势模型优于经典扩散模型。图5显示了使用CD模型分析不同温度下解吸数据的示例。如图所示，蒸汽流在高温下可能很大（例如，高达30%的水分损失来自蒸汽对流），而扩散可以完全控制水分的低温行为。然而，对于具有SH涂层的装置，水扩散可在表面处被抑制。 因此，蒸汽流可能是水分转移的唯一途径0.000.050.100.150.200.250.30Max（一）端口穿过SH涂层并进入器械。2.3 蒸汽压作为外部负荷一旦宏观分层形成并且蒸汽在分层区域中累积，蒸汽压力可以被认为是外部载荷。界面脱层的进展将取决于随时间变化的蒸汽压的大小和脱层体积。为简单起见，可考虑分层界面处的均匀蒸汽压力，而不同位置处的水分浓度可能不同。为了计算分层界面处的平均水分浓度，可以采用一个简单的方程[19]：0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0t/tmax（b）第（1）款0.000.050.100.150.200.250.300.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0t/tmaxCaveCdA A一（十三）（c）第（1）款图5. 解吸过程中蒸汽流随温度的变化其中A是分层面积。在用上述公式计算分层后的蒸汽压时，应将浓度C替换为Cave。该方法适用于全场蒸汽压模型和CD模型。另一种方法是显式计算水和固体之间的相互作用;这种方法必须处理水-固体相互作用的问题。微尺度流体-固体相互作用可以使用先进的物质点方法[25，26]来处理，其中可以考虑水的表面张力和接触角的影响。2.4蒸汽压致膨胀当聚合物材料的杨氏模量在高温下变得小几个数量级时，考虑蒸汽压引起的膨胀是重要的。蒸汽压力引起的膨胀可以与热膨胀相当，因此不能忽略。为了估计由蒸汽压引起的体积变化，可以使用以下等式V测试[18]。其中E是杨氏替代E= 500 MPa、v= 0.3和p= 2.32 MPa（220 °C时的饱和蒸汽压），典型的底充材料的结果为5.558 × 10等效热膨胀系数约为41 ppm。°C 很明显，如果考虑降低的杨氏模量，变形失配可能非常显著。这个简单的例子说明了耦合蒸汽压引起的膨胀对于精确预测固体变形的重要性。3 SH表面涂层的效果全场蒸汽压模型和CD模型都推断，可以通过防止水分吸收来避免高蒸汽压，即当C或ρw变为零时。这种情况可以通过在暴露目标器件之前向其施加防水涂层或密封剂来实现潮湿的环境。许多类型的增湿剂已被用于防潮T= 85 °C对流损失扩散损失R2= 0.99T= 140 °C对流损失扩散损失R2= 0.99T= 160 °C对流损失扩散损失R2= 0.98水分损失（重量%）水分损失（重量%）水分损失（重量%）先进材料-物品研究389www.engineering.org.cn第1卷·第3期·2015年9月工程预防，包括有机硅聚酰亚胺和聚二甲苯（聚对二甲苯）[27]。据报道，在实际应用中，应用清洁剂可保护电子元件免受高温湿度偏置（THB）条件、热冲击和温度循环的影响。此外，密封剂涂层可以防止移动离子污染物和水分的注入，并增加非密封封装的长期可靠性[28，29]。人们还发现，使用SH表面产生更好的保护微机电系统（MEMS）从水分损害。设计SH涂层存在两个一般规则：一个是最小化自由能，另一个是增加表面粗糙度。表面形态或粗糙度在获得SH特性中起着关键作用。表面粗糙度和接触角之间的关系可以通过Wenzel方程[30]描述：为了增加表面粗糙度，可以使用氧反应离子蚀刻（RIE），使用不同的蚀刻持续时间来蚀刻掉环氧分子，如图6（a）所示。接下来，将长链氟碳硅烷涂覆到纳米二氧化硅暴露的顶表面上，以进一步降低表面能。如图6（b）所示，硅烷分子的主要锚定位点在纳米二氧化硅表面上的羟基上。图7显示了不同蚀刻持续时间引起的表面粗糙度变化。通过暴露二氧化硅颗粒的顶部并形成密集堆积层，表面粗糙度和固体表面分数显著增加。更多的空气被截留在水和复合材料界面处，形成高度疏水的系统，θA= 161°，滞后小于2°。在涂层完全固化后测量接触角（注意，固化程度可通过溶剂摩擦试验粗略测量）。进行实验以科索ArY（十五）在以下条件其中θA为表观接触角;r为粗糙度指数;θY为r= 1.0时的接触角（对应于表面粗糙度）。显然，设计SH表面的目标是增加粗糙度（r），然后增加接触角。然而，Wenzel状态通常不足以实现更高的接触角（例如，> 150°）。纳米复合涂层产生的表观接触角与固体表面分数（f）密切相关，可通过Cassie方程[31]描述：85 °C/85%相对湿度（RH）和13.4 V的恒定直流（DC）偏压[11]。结果表明，与未涂覆的样品或涂覆有缺乏SH特性的普通封装剂的样品相比，涂覆样品中的电阻和漏电流的退化较小。然而，这项研究没有报告延长时间的体重增加，SH涂层的长期有效性尚不清楚。cofco（十六）4 SH涂层后的吸湿性图6显示了使用二氧化硅/环氧树脂纳米复合材料获得SH表面以保护微电子元件所需的程序[11]。大多数纳米二氧化硅颗粒（100 nm，10重量%）在将混合物旋涂在微电子样品上之后，位于环氧树脂顶层下面。为了使纳米二氧化硅能在硅烷为了进一步验证SH涂层在各种条件下的有效性，进行了实验测试，以测量吸湿后回流焊测试期间涂层材料的失效率[16]。为了进行比较，对接收样品和SH薄膜涂层样品进行了测试。使用四通道封装（QFP）。应用两种不同的湿度条件。一种湿度条件涉及将样品浸入60 °C的水中O2 RIE（一）治疗另一个条件涉及将样品置于60 °C/85%RH的潮湿室中。测试时间延长至192小时以上。发现该RSiClClCLH2ORSi胡OHOHR R思思Oo oo O（b）第（1）款RSiOOR = CF3（CF2）5（CH2）2涂覆的样品在第一次潮湿条件下（浸入水中）得到很好的保护，具有非常不显著的吸湿。然而，SH涂层的效果似乎在60 °C/85%RH的湿度条件下消失;对于100 °C/85%RH的湿度条件，测量了几乎相同量的水分吸收。涂覆的和未涂覆的样品。在潮湿后的回流试验图6. SH表面合成过程的图示。（a）O2等离子体蚀刻和硅烷处理;（b）在纳米复合材料表面上用全氟辛烷磺酸（PFOS）进行疏水处理[11]。图7.表面粗糙度随蚀刻时间的变化[11]。真正的吸收证实，当它们都浸入水中时，涂覆的包装只比未涂覆的包装具有更高的存活率。为该条件 在60 °C/85%RH的条件下，涂覆和未涂覆样品的失效率没有差异。从这些观察结果可以暗示，在排斥液态水方面可能非常有效的涂层材料可能不会阻止水蒸气的吸收。这一发现如图8所示。为了解释图8所示的现象，我们认为涂层材料中可能存在两种扩散机制：SH表面上的水分转移和SH表面上的水分扩散。研究先进材料-文章390工程第1卷·第3期·2015年9www.engineering.org.cn防水涂膜水蒸气分子水液体分子图8.不能防止水蒸气渗透的疏水涂层膜的示意图[16]。通过批量传输。一般来说，通过本体的水分传递用Fickian动力学很好地理解。然而，在整个表面上的扩散机制，特别是对于SH表面，可能更复杂，并且可能强烈依赖于材料的蒸汽压和化学性质。我们认为，SH表面的蒸气压可能是充分理解实验中观察到的表面扩散机制5 讨论和结论本文提出了两种不同的电子材料蒸气压预测理论模型：全场蒸气压模型和CD模型。全场蒸汽压模型将菲克扩散与微空隙中水蒸汽的微观力学相结合以估计蒸汽压，而CD模型将菲克扩散、蒸汽对流和液体-蒸汽混合物的化学平衡结合以形成统一的蒸汽压模型。尽管它们之间存在差异，但通过考虑蒸汽压引起的变形，这两种方法可以进一步与固体变形耦合。计算结果表明，蒸汽压预测是研究高温高湿条件环境.对于CD模型，已经表明，在高温下，蒸汽流量可能很大（例如，在160 ℃时达到总水分输送的29%°C）。与仅扩散或仅对流模型相比，CD模型能够通过在不同温度下结合扩散和对流机制来准确地拟合实验数据。对于在高温下快速加热的聚合物复合材料，我们的数值研究表明，高加热速率可能会产生非常高的蒸汽压（约6.5 MPa），这可能会导致材料的可靠性问题。为了提高器件在潮湿环境中的可靠性，开发了SH纳米复合涂层，并在各种湿度条件下进行了测试。据观察，防水的SH涂层可能无法有效保护下面的材料免受水蒸气的影响。虽然扩散模型已经发展了几十年，通过SH涂层的扩散的基本机制仍然是一个悬而未决的问题。由于微尺度表面粗糙度可以改变蒸汽压，SH表面对于确定SH涂层是否 是否防蒸汽。在此基础上，有必要建立一个能够考虑SH涂层纳米结构的多尺度蒸汽压模型。确认作者感谢国家高技术研究发展计划（863计划）（2015AA03A101）的支持。遵守道德操守准则范学军、陈良彪、C. P. Wong，Hsing-Wei Chu，and G. Q. 张声明他们没有利益冲突或财务冲突需要披露。引用1.X. Q. Shi，Y. L. Zhang，W. Zhou，X.范杰。湿热老化对硅/底填料/FR-4组件界面可靠性的影响IEEE T.康朋包. T. 等，2008，31（1）：942.X. J. Fan，E.苏希尔IC器件塑料封装的湿度敏感性New York：Springer，2010.3.X. J. Fan，G. Q. Zhang，W. D.范德里尔湖J·恩斯特再焊过程中潮湿预处理的界面分层机理。IEEE T.康朋包. T. 等，2008，31（2）：2524.W. D. van Driel，M. A. J. van Gils，X. J. Fan，G. Q.张丽J·恩斯特裸露焊盘封装中与分层相关的可靠性问题的驱动机制。IEEE T.康朋包. T. 等，2008，31（2）：260-2685.B. Xie，X. J.范，X. Q. Shi，H.丁回流焊过程湿气扩散的直接集中法与全场蒸气压模拟-第一部分：理论与数值实现。J. Electron. Packag. ，2009，131（3）：031010.16.B. Xie，X. J.范，X. Q. Shi，H.丁回流工艺中水分扩散的直接集中法和全场蒸汽压模拟第二部分：应用于三维叠层芯片级封装。J. Electron. Packag. ，2009，131（3）：031011.17.L. S. Zhu，J.Zhou，X.J. 粉丝由于在中温环境下水分蒸发导致的软膜破裂和不稳定性电子器件。计算机，连续&材料，2014，39（2）：113-1348.Y. H.休湖B. Zhu，D. W.赫斯角王宝强。溶胶-凝胶法制备超疏水耐用二氧化硅薄膜用于MEMS器件抗静摩擦的凝胶处理。美国化学会论文摘要，2006：2319.Y. Liu，W.林，Z. Lin，Y. Xiu，C.王宝强。一种用于坚固的超硬SiC表面的组合蚀刻工艺。纳米技术，2012，23（25）：25570310. Y. Liu，Z.林，W. Lin，K. S.穆恩角王宝强。ZnO纳米棒/环氧树脂复合膜的可逆超疏水-超亲水转变ACS应用材料接口，2012，4（8）：3959-396411. Y. Liu，Z.Lin，K.S. 穆恩角P. 黄。超疏水纳米复合材料涂层可提高可靠性微电子学的证明。IEEE Trans. Compon.打包制造技术，2013，3（7）：107912. Y. H. Xiu，Y.刘湾，澳-地Balu，D. W.赫斯角王宝强。用环氧树脂和二氧化硅纳米粒子制备的坚固的超疏水表面。IEEE Trans. Compon.打包制造技术等，2012，2（3）：395先进材料-物品研究391www.engineering.org.cn第1卷·第3期·2015年9月工程13. Y. Liu，Y.Xiu、黑腹叶蝉D.W. 赫斯角P. 黄。硅表面结构控制疏油性朗缪尔，2010，26（11）：890814. X. J. 丰湖，澳-地蒋超湿/抗湿表面的设计与制造脸上高级材料等，2006，18（23）：306315. L. Gao，T.J. 麦卡锡“莲花效应”解释：两个地形的长度尺度是重要的。Langmuir，2006，22（7）：296616. X. J.范，S. W. R.李角，澳-地韩高分子材料中水分行为的实验研究与模型研究。微电子可靠性等，2009，49（8）：86117. E. H.黄，S. W. Koh，K. H.李，K.- M.林氏T. B. Lim，Y.- W.麻衣电子封装用蒸气压模型的进展。IEEE Trans. Adv. Packag. 等，2006，29（4）：75118. L. Chen，H. W. Chu，X.范杰。聚合物复合材料中水分传输的对流-扩散多孔介质模型：模型开发和验证。J.波利姆Sci. Pol. Phys. ，2015，53（20）：144019. X. J. Fan，J. Zhou，G. Q.张丽J·恩斯特电子封装中基于微观力学的蒸汽压模型。J. Electron. Packag. 等，2005，127（3）：262-26720. 亚当斯湖Chen，X.范杰。以对流扩散模式预测堆叠式晶片封装再流时之蒸气压。第16届微电子和微系统热、机械和多物理仿真与实验国际会议论文集（EuroSimE）。匈牙利钢琴家布达，201521. Y. Wu，N.胜部化学分解复合材料的热力学模型--Ⅰ.理论国际工程科学杂志等，1997，35（2）：11322. R. M. 苏利文水对聚合物复合材料热应力的影响网站。J. Appl. Mech. ，1996，63（1）：17323. G. K. van der Wel，O.C. G. 阿丹有机涂层中的水分-综述。Prog. Org. 外套，1999，37（124. H. B. Hopfenberg，H. L.弗里施有机小分子在无定形聚合物中的输运。J.波利姆科学，部分B. Polym. Lett. ，1969，7（6）：40525. L. Chen，J. H.李角，澳-地F.尘用广义插值物质点法模拟表面张力及其应用。CMES-比较模型Eng. ，2012，86（3）：199-22426. L.尘用广义内插物质点法计算表面张力引起的固体-液体相互作用（博士学位论文）。费尔班克斯，AK：阿拉斯加费尔班克斯大学，2013年27. C.王宝强。高性能硅凝胶作为IC器件芯片的保护-固化研究及电气可靠性。美国化学会论文摘要，1988：10228. R. G.曼克混合电路封装剂的防潮筛选试验. IEEE Trans. Compon.混合动力车制造技术，1981，4（4）：49229. J. L.武河，巴西-地T.派克角P. Wong，N.，-地，中国地质大学地质系，地质研究所P. Kim，M. H. Tanielian。用于微机电系统（MEMS）器件封装的可靠非气密保形涂层的评估和表征。IEEE Trans. Adv. Packag. 等，2000，23（4）：72130. R. N.温泽尔固体表面对水润湿的抵抗力。工业工程化学，1936，28（8）：98831. A. B. D. Cassie，S.巴克斯特多孔表面的润湿。法拉第变换Soc. ，1944，40：546-551