新型电容耦合器设计用于无线电容式功率传输应用

工程科学与技术，国际期刊40（2023）101364用于无线电容式功率传输应用的新型电容耦合器设计Mehmet Zahid Erela，Kamil Cagatay Bayindirb，Mehmet Timur Aydemirca能源系统工程系，安卡拉Yildirim Beyazit大学，安卡拉06010，土耳其b土耳其安卡拉耶尔德勒姆大学电气和电子工程系，安卡拉06010cKadir Has大学电气和电子工程系，伊斯坦布尔34083，土耳其阿提奇莱因福奥文章历史记录：2022年2月1日收到2022年7月6日修订2023年2月12日接受2023年3月2日在线发布保留字：电容式功率传输无线充电电容耦合器外部电容耦合电容A B S T R A C T电容式功率传输（CPT）技术已经成为无线充电应用的有前途的替代解决方案。本文提出了一种新颖的耦合器设计，通过在每个初级和次级电路的两个弯曲金属板之间插入介电材料来形成谐振电容器。该耦合器的主要目的是消除外部电容，解决CPT应用中耦合电容低的问题。与传统的四板耦合器的比较，这表明特别是更高的耦合电容，更低的所需电感，和更低的成本。最后，仿真和实验结果验证了所提出的耦合器结构©2023 Karabuk University. Elsevier B.V.的出版服务。这是CCBY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。1. 介绍1.1. 概述虽然感应功率传输（IPT）系统主导无线功率传输（WPT）技术，但是近来电容功率传输（CPT）系统也由于其突出的优点而受到显著关注，所述突出的优点诸如可忽略的涡流损耗、更高的可靠性、更好的未对准性能、更低的成本、重量轻和更低的EMI[1，2]。CPT技术在无线充电概念中具有许多应用领域。LED照明[3]、便携式设备充电[4]、生物医学设备[5]、集成电路[6]和电机激励[7]可以作为低传输距离应用的一些示例。对于大传输距离应用，第一个想到的例子是IPT和CPT系统的无线电动汽车（EV）充电[8，9]。补偿拓扑结构、转换器拓扑结构和耦合器结构在CPT系统的性能中起着至关重要的作用，因此应仔细设计它们，以获得具有竞争力的所需功率水平。此外，介电材料对电容耦合器结构的影响对于增加功率传输能力和电场强度具有重要意义[10]。*通讯作者。电子邮件地址：mzerel@ybu.edu.tr（M.Z. Erel）。1.2. 文献调查基于滤波器的拓扑对于补偿拓扑至关重要。它们减少了所需的电感和谐振元件的数量。例如，双侧LCLC[11]、双侧CLLC[12]、双侧LCL[13]和双侧LC[14]补偿拓扑被建议用于电动车辆（EV）充电应用。此外，还提出了混合结构来增强失调性能，例如LC-CLC[15]和LCL-L[16]。转换器拓扑结构在CPT系统中也起着关键作用一个高频逆变器是利用，使交流波形的reso- nant设备在每一方的CPT系统。半桥、E类和D类结构减少了开关器件数量，通常用于CPT应用中获得低成本、低损耗和相对较小的尺寸[17此外，全桥逆变器拓扑结构主要用于提高CPT应用中的功率水平[20]。考虑到整流器拓扑结构，半桥[21]、全桥[22]和有源可变电抗（AVR）[23]结构已被提出用于高功率CPT应用。另一方面，已经提出了用于低功率CPT应用的E类整流器拓扑[24]。电容耦合器结构包括多个金属板以形成引起位移电流以传输功率的电场。传统的电容耦合器结构可以分为四种类型：两板、四板、六板和四板。https://doi.org/10.1016/j.jestch.2023.1013642215-0986/©2023 Karabuk University.出版社：Elsevier B.V.这是一篇基于CC BY-NC-ND许可证的开放获取文章（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）。可在ScienceDirect上获得目录列表工程科学与技术国际期刊杂志主页：www.elsevier.com/locate/jestchM.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）10136421/4米2017年12月12日34英寸电场中继器Chris Mi[25]讨论了用于EV充电应用的四板水平和垂直耦合器结构。因此，垂直耦合器比水平耦合器具有更好的旋转失准能力。然后，提出了一种用于EV充电应用的包括两个金属板的耦合器结构[26]。在此，车辆的底盘和地面被高亮，以取代传统的四板结构中使用的两个板。此外，双板电容耦合器结构提供了减少的板数和CPT应用中的成本降低。然而，大地的低电导率是不利的一面。然后，Zhang等人，[27]提出了一种六板耦合器结构，以便为大传输距离应用提供较少的电场发射。然而，实现等效电路的耦合电容的数量和六个金属板的增加的成本是缺点。Zhang等人，[28]提出了最后一种称为电场中继器的传统电容耦合器结构，以增强CPT系统中的传输距离。然而，低系统效率是耦合器的缺点。与传统的电容耦合器结构一样，针对CPT应用中的耦合器结构提出了不同的设计提出了一种保形保险杠结构，以增加耦合电容，同时减少传输距离并增加电动汽车充电应用的表面面积[29]。然而，耦合电容在纳法范围内，因此传输距离被限制在几毫米范围内。Lu等人，[30]提出了一种用于便携式设备充电应用以同时使用电场和磁场的混合耦合器结构然而，需要两个大的外部电感来提高等效电感并降低开关频率。Regensburger等人，[31]提出了一种具有聚四氟乙烯（PTFE）包封的圆形耦合器结构，不仅可以防止电弧放电，而且可以增加高功率应用的能量传递能力。然而，随着耦合器的划分电感建议将组合耦合器结构用于CPT应用，以节省空间[32]，并减少边缘场水平[33]。然而，CPT系统变得更加传统的四板耦合器结构和所提出的耦合器结构之间的tances。此外，在建议的CPT系统的失调测试和电场发射进行了研究。最后，在第5节中介绍了结论和讨论。2. 传统的四板CPT系统2.1. 常规四板电容耦合器结构在确定CPT系统的交叉耦合电容时，极板设计起着关键作用.四板水平结构，以下称为传统的四板耦合器结构，如图1所示。 1及其参数定义见表1。图 2描述了四板电容模型。此外，耦合电容项表示端口和交叉耦合电容。 图图2（a）示出了传统四板电容耦合器结构的端口电容模型。这里，P1和P2表示发射机侧板，P3和P4表示接收机侧板。由于在金属板之间存在一些端口电容，因此总共存在六个等效端口电容CT12、CT13、CT14、CT23、CT24和CT34。相同侧板之间的电容表示电容耦合器的自电容。相同侧之间的电容也称为主电容C12和C34。互电容与两端电容密切相关。图2（b）表示四板电容耦合器结构的交叉耦合电容模型。这里，C12、C13、C14、C23、C24和C34表示交叉耦合电容。的等效p型模型[34]和等效二端口模型[14]提出了简化复杂耦合器结构的方法。其中，p型模型如图所示。3.第三章。图 其中，CP、CS和CM表示初级谐振电容，次级谐振电容和互电容。这些电容是使用交叉耦合电容[13]获得的，如图所示：实现等效电路模型的复杂性。1.3.关键贡献与现有的CPT技术研究相比，本文的主要贡献包括以下几个方面：1）提出了一种新型的电容耦合器结构，消除了CPT应用中的2)第一次将四块金属板弯曲，并在弯曲部分之间插入PTFE介电材料，以产生额外的电容来取代物理电容器组件，这是谐振所需的CC C13C14：C23C24C13C14C23C24CC C13C23：C14C24C13C 14C 23C 24CC24C13-C14 C23C13C14C 23C 242.2.电路拓扑ð1Þð2Þð3Þ电路. 3)作为传统的四板电容耦合器结构，相同侧板之间的电容形成主电容。由于所提出的电容耦合器结构，主电容的作用变得更加重要。4)由于消除了初级和次级谐振电路的外部电容器，CPT系统实现了成本降低和空间节省。5)所提出的电容耦合器结构提供了使用不同介电材料的机会;因此，在CPT应用中，功率水平可以大幅提高本文其余部分的结构如下。第2节重点介绍了一种传统的四板CPT系统，它由传统的四板耦合器结构和LC补偿拓扑结构组成第3节中介绍了所提出的电容耦合器结构、工作原理、设计和所提出的四板CPT系统第4节介绍了所提出的四板CPT系统的实际原型，并与耦合器在耦合容量方面进行了比较传统的四板耦合器结构和LC补偿拓扑结构组成了传统的四板CPT系统，如图所示。 四、板P1和P2的作用是无线地传输电力，而板P3和P4用于接收电力。Fig. 1. 传统的四片式耦合器结构。M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013643表1常规四片式耦合器结构的参数定义参数定义l1板长（x方向）l2板长度（y方向）d传输距离d1初级/次级侧w板厚图二.四极板电容模型。(a)端口电容模型;（b）交叉耦合电容模型。图三. 等效p型模型。在这个概念中，逆变器的全桥结构主要用于激励初级侧的谐振电路。谐振电感器和外部电容器还用于与无线充电系统的每一侧的电容耦合器结构谐振。这里，由于系统的低耦合电容，通常使用外部电容器。由于这个原因，出现了许多问题，例如高成本、高损耗和空间限制。末侧采用全桥整流电路以提供经调节的输出电压。3. 建议的四板CPT系统3.1. 建议的耦合器结构所提出的耦合器结构如图5所示，其参数定义如表2所示。所提出的耦合器旨在解决CPT系统的低耦合电容。低耦合电容条件产生了诸如高谐振电感、高开关频率、高成本和低效率的问题和要求。出于这个原因，所有四个金属板都被弯曲，并且在这些弯曲件之间插入介电材料，以产生额外的电容，用于初级和次级谐振电路。在每个板之间测量的值表示如图6所示的端口电容。它没有作为一个值被提及交叉耦合电容。交叉耦合电容模型可以表示为图2（b）中描绘的常规四板耦合器结构的一般模型。此外，还利用Y-D和D-Y变换理论，交叉耦合电容的基础上图。 2（b）[35]。港口容量-使用由等式（1）给出的交叉耦合电容推导出（A.1）。(For详情见附录A）。然后，根据端口电容确定交叉耦合电容.3.2. 电路拓扑所提出的耦合器结构和LC补偿拓扑结构形成了所提出的四板CPT系统，如图1所示。7.第一次会议。具有介电材料的弯曲部分形成两侧谐振电路的主然后，主要图四、传统四板CPT系统的电路拓扑M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013644KMK2见图7。 电路拓扑结构的建议四板CPT系统。表2图五. 建议的耦合器结构。分别表示初级和次级电容，并且CM表示系统的等效互电容。建议耦合器结构的参数定义。参数定义l1板长（x方向）l2板长度（y方向）l3板长度（z方向）l4介质厚度d传输距离w板厚全 桥 二 极 管 整 流 器 用 于 向 负 载 提 供 直 流 电 流 。 基 本 谐 波 近 似（FHA）的方法是用来了解拟议的耦合器结构的行为，如图所示。 9[34]。此外，还利用叠加定理求出了相关参数。 图图9（a）介绍了简化的谐振电路模型。图图9（b）表示由输出源VS激励的谐振电路，图9（c）表示由输入源VP激励的谐振电路。在此，正弦电压源代替初级和次级方波电压源VP和VS。从图在图9（b）中，初级谐振电流被计算为：ICS1P¼ -CM·jwPLP·VS 4从图在图9（c）中，次级谐振电流被计算为：ICP1S¼-CM·jwSLS·VP然后，耦合系数kc表示为，Cc<$pCPCSð6Þ系统的每一侧的谐振频率通常被选择为与定义为相同，x0xP1ð7Þ¼pffiLffiffiPffiffiffi·ffiffiCffiffiffiPffiffipffiLffiffiSffiffiffi·ffiffiCffiffiffiSffi见图6。 提出的耦合器结构的端口电容模型。并且次级电感器与电容耦合器结构谐振，以在金属板上产生高电压并传输功率。现在，弯曲部分构成耦合器的主要电容，插入的介电材料变得突出，以获得所需的耦合电容和功率电平。3.3. 工作原理所提出的具有p型模型的四板CPT系统的等效电路如图8所示。全桥逆变器用于激励谐振电路。LC补偿-然后，将拓扑结构包括在系统中。在这里，LP和LS代表初级和次级电感，分别。CP和CS耦合系数的值通常远低于1。因此，输出功率可以粗略地由下式确定：C见图8。提出的四板CPT系统的等效电路与p型模型。M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013645见图9。四板CPT系统的FHA分析：（a）简化的谐振电路模型，（b）仅由次级电压源激励，（c）仅由初级电压源激励。3.4. 设计与分析本节介绍所提出的四板CPT系统的设计和分析提出的CPT系统的设计过程，以确定谐振元件可以陈述如下：端口电容首先由LCR表测量然后，根据交叉耦合电容模型导出的端口电容确定交叉耦合电容。为了求解高阶方程，利用Wol-framMathematica软件来获得交叉耦合电容。根据所获得的交叉耦合电容，计算初级和次级电容以及互电容。然后，根据两侧的选定开关频率确定初级和为了进一步证明所提出的耦合器结构是有用的，一个60-V输入，60-V输出，110-W CPT系统使用LC补偿拓扑结构已被设计和测试。四块金属板被设计成对称的，以简化程序。表3中给出了建议的耦合器结构的物理尺寸。根据选择的耦合器尺寸，首先测量端口电容，然后使用等式（1）计算交叉耦合电容。（A.1）。所得结果见表4。然后，使用等式确定补偿电容器的值（1）、（2）、（3）。耦合系数也是通过使用方程来确定的（6）. 的值的补偿电感的计算是基于所选的开关频率使用方程。（7）。因此，所设计的四板CPT系统的电路参数如表5所示。PLEXIM Plecs软件最好用于检查拟议的四板CPT系统的操作。谐振电路的电压和电流波形如图10所示。图10（a）示出了初级侧谐振电压和电流波形，以及图10（b）表示次级侧谐振电压和电流波形。电流波形缩放两次，以更好地观察两侧的谐振条件根据仿真结果，所设计的CPT系统达到了有效的谐振4. 实验设置和验证4.1. 耦合器确认在传统的四板耦合器结构和考虑耦合电容的建议耦合器结构之间进行比较研究，如图11所示。图11（a）表示传统的四板耦合器结构的实验原型，并且图11（b）指示所提出的耦合器结构的实验原型。这里，四个铝金属板用于两个耦合器结构。作为所提出的耦合器结构的不同之处，四个铝金属板是弯曲的，并且PTFE介电材料也是已知的。因为特氟隆被插入弯曲部分之间。此外，对介电材料和弯曲部分都采用了坚固的胶带，以避免产生气隙。选择PTFE是因为当在3 kV/mm下发生空气击穿时其> 20 kV/mm的高介电强度特征。介电常数为2.1，因此它提供比介电常数为1的空气高两倍的耦合电容。PTFE在MHz频率范围内也具有低耗散因数[36]。比较研究的目的是显示的贡献相比，传统的四板耦合器的为了进行公平的比较，传统四板耦合器结构的板尺寸和传递距离被选择为与所提出的耦合器结构相同，其在表3中给出。在相同的开关频率设置为1 MHz的情况下，常规四板耦合器结构的耦合电容如表6所示。为了确定传统四板耦合器结构中的端口和交叉耦合电容，采用与建议的耦合器结构相同的程序也就是说，使用LCR计测量端口电容。然后，根据端口电容确定交叉耦合电容，端口电容是使用图2（b）所示的交叉耦合电容模型导出的。为了求解高阶方程，使用WolframMathematica软件来确定交叉耦合电容。结果表明，两种耦合器的每个端口和交叉耦合电容都有显著差异。所提出的四板耦合器结构具有表3建议耦合器结构的尺寸参数值l1300毫米l2150毫米l3100毫米l41毫米d5毫米宽2毫米M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013646表4所提出的耦合器结构的耦合电容表6传统四板耦合器结构的耦合电容端口电容数值（pF）交叉耦合电容数值（pF）端口电容数值（pF）交叉耦合电容数值（pF）CT12291.23C12247.27CT128.40C1236.92CT13181.96C1345.91CT1379.08C1392.23CT14163.90C143.72CT148.48C1433.94CT23163.63C232.68CT238.12C2335.11CT24188.49C2446.58CT2473.10C2485.65CT34294.78C34250.68CT348.97C3441.19表5建议的四板CPT系统的设计值参数值所设置的耦合器结构特别地有助于主电容。因此，所提出的耦合器结构具有较高的耦合电容，是决定系统谐振电容的关键部分。此外，所提出的耦合器允许经由其弯曲部分使用不同的介电材料。因此，所提出的四板耦合器结构变得更加突出，提供了更高的耦合电容、更高的功率电平、更低的所需电感、更低的成本、相对更高的传输效率以及用于CPT应用的空间节省图10个。谐振电压和电流波形：（a）初级侧谐振电压和电流波形，（b）次级侧谐振电压和电流波形。见图11。 耦合器结构：（a）常规四片式耦合器结构，（b）建议耦合器结构。通过其弯曲部分具有更高的端口和交叉耦合电容。在耦合电容中，C12和C34表示两个耦合器结构的主电容。然而，传统的四板耦合器结构的主电容低于其他耦合电容。前半部分的弯曲部分4.2. 系统性能确认在实验研究所提出的耦合器结构的有效性后，一个110-W的四板CPT系统已建成，CP424.87 pFCS429.65 pFCM34.63 pFKC8.1%LP59.62升HLS58.96升Hfsw1 MHzM.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013647××如图12所示的33.1X电阻负载。对于电动汽车应用，传输距离也设置为5mm作为所提出的四板CPT系统的实际原型，输入电压被设置为60 V，并且输出电压被测量为50 V。平均输入和输出电流分别在1.83 A和1.51A处获得。因此，得到了耦合系数为8.1%的松耦合四板CPT系统，效率为68.76%。由于所提出的耦合器结构的机械设计，如表5所示，谐振组件之间存在微小差异。谐振电路采用空心电感，在高频应用中具有良好的性能。此外，谐振电感器由利兹线制成，以提供减小的趋肤效应和较低的磁损耗。采用GW INSTEK LCR-8110 G测量仪测量了耦合器的端口电容。然后，根据端口电容，利用Wolfram Mathematica软件计算出交叉耦合电容。设计的CPT系统采用STM32F4 Discovery Board产生 PWM 信 号 采 用 CREE 公 司 的 碳 化 硅 （ SiC ） MOSFETC2M0080120D 系 列 构 建 全 桥 逆 变 器 。 作 为 SiC 二 极 管 ，IDH06G65C6XKSA1系列从INFINEON是首选的无源整流桥与一个相对较低的前进电压为1.25 V的工作频率被设置为1 MHz。PCB尺寸设计为10 - 10厘米逆变器和整流器电路拓扑结构。谐振电压和电流的实验波形如图13所示。图13（a）显示了初级侧谐振电压和电流波形，表示逆变器输出电压和电流波形也在此，由于逆变器输出电流稍微滞后于电压，所以系统实现零电压开关（ZVS）操作。图13（b）描绘了次级侧谐振电压和电流波形，其也表示整流器输入电压和电流波形。此外，同相操作是candered-ceeded二次侧谐振电压和电流波形。作为实验研究的结果，有一个很好的和谐之间所获得的结果，这证实了建议的耦合器结构的CPT应用。4.3. 错位测试在本节中，对所提出的四板CPT系统的失调性能进行了检查。因此，在实际概念中考虑了突出的未对准应用，例如x方向未对准和z方向未对准或系统的每一侧之间的在失调条件下测量了直流-直流系统效率和输出功率这两个关键参数。x方向未对准从30 mm到120 mm进行评估，这大约是电容耦合器的一半。如前所述，所设计的四板CPT系统的转移距离为5mm，因此转移距离的变化以1mm的增量被考虑到高达9mm在图14中描绘了所提出的四板CPT系统的输出功率和dc-dc系统效率关于x方向未对准的变化。此外，所提出的四板CPT系统在与传输距离相关的这些参数方面的性能如图所示。 十五岁结果发现，所提出的CPT系统的输出功率和DC-DC效率下降的失调。 当偏移量为30 mm时，四板CPT系统的DC-DC系统效率和输出功率下降到66.22%和71.52W。在这种情况下，系统效率和输出功率都没有显著降低。在60 mm x方向的不对准，DC-DC系统效率下降到50.74%，输出功率降低到50。74 W，约为完全对准系统的30%。当错位在x方向上，从60 mm增加到120 mm，系统效率和输出功率的值显著降低。不同的传输距离也在这个概念进行了评估。当传输距离增加到6 mm时，所提出的CPT系统的系统效率和输出功率下降到完全对准系统的近30%。当传输距离增加到9 mm时，系统的性能会因谐振频率的丢失而4.4. 电场发射电场发射的建议四板CPT系统进行检查，如图所示。 十六岁因此，Narda EHP-200 A&电磁场分析仪（3 kHz-30 MHz）用于评估从电容耦合器的不同距离的建议CPT系统的电场强度。根据IEEE C95。1标准，电场强度应低于640 V/m，在1 MHz的工作频率，以提供安全规定[37]。因此，不同的临界点被指出观察系统的行为。在距离电容耦合器300 mm处，所提出的CPT系统的电场强度为754.25 V/m，这与标准不兼容。电场强度分别为604.25 V/m和574.67V/m，距离耦合器400 mm和450 mm。作为结论，所提出的四板CPT系统的电场强度是兼容的IEEE C95.1标准约400 mm远离电容耦合器。5. 结论与讨论本文提出了一种新的电容耦合器的CPT应用设计。四块铝板已经被弯曲用于所提出的耦合器结构，并且PTFE介电材料被插入弯曲部分之间。除了设计和分析，进行了比较研究，以确认建议的耦合器结构的有效性方面的耦合电容对传统的四板耦合器结构。作为比较的结果，所提出的耦合器结构提供了表示端口和交叉耦合电容的更高的在验证了所提出的耦合器后，建立了四板CPT系统的实验样机因此，对于电动汽车应用，110 W的无线电容充电在5 mm的传输距离上成功建议的四板CPT系统的性能也进行了评估，在x方向的错位和不同的传输距离。根据所获得的结果，功率和DC-DC系统效率减少具有x未对准和不同的传送距离。其主要原因是在x失调应用下所选择的LC补偿拓扑结构和不同传输距离下的谐振频率丢失。电场发射的建议CPT系统进行审查。得出的结论是，提供了安全区域后，约400毫米远离电容耦合器，这是兼容的IEEE C95.1标准。由于所提出的耦合器结构的弯曲截面特征，主要优点已经从PTFE介电材料获得，其能够实现高介电强度和高相对介电常数。此外，在两侧的谐振电路的谐振电容的值急剧增加。 同时，对于两侧的谐振电路，所需的电感实质上减小。取决于插入的介电材料、电容器的主电容、以及电容器的主电容。M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013648图12个。所提出的四板CPT系统的实验原型图十三.谐振电压和电流的实验波形：（a）初级侧谐振电压和电流波形，（b）次级侧谐振电压和电流波形。因此可以增加功率传输水平采用所提出的耦合器结构，对于所提出的四板CPT系统，成本降低是显著的通过消除昂贵的外部电容和减小用利兹线制成的补偿电感的尺寸来提供降低的成本，这证明了所提出的耦合器结构的有效性。所提出的耦合器结构也具有灵活和易于实现的特点，因此，它预计将作出很大的贡献，作为谐振电容器的WPT应用。这项研究的未来方向包括测试不同的介电材料，以及不同的耦合器几何形状的亲，图14.所提出的四板CPT系统在x方向未对准下的性能：（a）测量的输出功率，（b）测量的DC-DC系统效率。提出了耦合器结构，进一步降低了系统成本，提高了系统效率。M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）1013649CCCC.Σþ�C 12 C13�C12 C23�C13 C23�C34图十六岁所提出的四板CPT系统对于不同距离的电场发射：（a）在350 mm处，（b）在400 mm处，（c）在450 mm处。图15.所提出的四板CPT系统的性能，12.CC14C34-是的CþC24C34 Σ传输距离：（一）测量输出功率，（b）测量直流-直流系统C¼CC14C24þþ13C14C24C3423C14C24C34效率T12C14C24C34C13C23C14C3414° C24°34C24C34C14C24C34资金.C12C14C24-是的C23C24C34Σ13C¼CC14C34þþC14C24C34C14C24C34这项研究没有得到任何具体的资助，公共、商业或非营利部门的机构。T13C14C24C34C12C23C14C2414° C24°34C24C34C14C24C34C 12 C13C12C23 C13 C23CCC�C12C13�C12C23�C23�C24C.12C13C12C23C13C23C34！竞争利益C13C 12þT14¼ 14C13C12C 13C 12C 23C 13C 23C240C12C12C 13C 12C 23C 13C 23C341作者声明，他们没有已知的竞争对手，可能出现的社会利益或个人关系C23@C23C13.�C12C13�C12C23�C13C23�C24�CC12.�C12C13�C12C23�C13C23�C34�A影响本文报道的工作附录A.C12C14C24-是的C13C14C34Σ23þþC13C12粤ICP备16016888号-1�C12C13�C12C23�C23�C24M.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）10136410价格：100C¼CC24C34þþC14C24C34C14C24C34利用交叉耦合电容推导端口电容由下式给出，T23C14C24C34C12C13C14C24C14C24C34C14C34C14C24C34þþM.Z. Erel，K.C. Bayindir和M.T. 艾代米尔工程科学与技术，国际期刊40（2023）10136411CCCCC公司简介24C12C 14.C23C12C1312C13C 14- 是的C34°CC13C1412C13C14[18] L. Huang，A.P. Hu，Power Flow Control of Capacitive Power Transfer by SoftSwitching of Extra Capacitors in Class e Converter，2018 IEEE 4th South，PowerT24C12-C13-C14C23C34C12C1312° C13°14C13C14C12-C13-C14电子学。Conf.SPEC2019（2018年）1 - 5 ，https://doi.org/10.1109/规格2018.8635634。[19] K.H. Yi，6.78MHz电容耦合无线电能传输系统，J. 功率.C23C12C13-是的C24环C12C14Σ3415（2015）987https://doi.org/10.6113/JPE.2015.15.4.987C¼CC13C14þ þC12-C13-C14C12-C13-C14[20] H. Zhang C.，中国古猿科Zhu，F.长距离大功率电容电源T34C12-C13-C14C23C24C12C1312° C 13° 14C12C14C12-C13-C14基于双面LC补偿的传输：分析与设计，ITEC 2019电气Conf. 博览会（2019）5https://doi.org/10.1109/ITEC.2019.8790595。[21] S. Li，Z. Liu，H. 赵湖，加-地 Zhu，C. 绍伊Z. Chen，Wireless Power Transfer，引用[1] F. Lu，H. Zhang C.，中国古猿科Mi，电容式无线功率传输技术的最新发展综述，Energies 10（2017），https://doi.org/10.3390/en 10111752。[2] C.刘亚平，非接触式电能传输系统的稳态分析，2009年IEEE能源转换大会。ECCE2009（2009）3233https://doi.org/10.1109/ECCE.2009.5316216[3] H.W.R. 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