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工程科学与技术,国际期刊19(2016)866完整文章采用缺陷地结构Munish Kumar*,Vandana Nath信息和通信技术大学学院,GGSIPU,Sector-16 C,Dwarka,新德里110075,印度A R T I C L E I N F OA B S不 R 一C T文章历史记录:收到日期:2015年9月2日收到日期:2015年2015年12月11日接受2016年1月7日在线发布保留字:微带贴片天线(MSPA)缺陷接地结构(DGS)电磁带隙(EBG)结构表面波阻抗带宽旁瓣电平(SLL)本文研究了一种简单的微带贴片天线和一种采用缺陷接地结构的二元E面耦合微带在没有缺陷接地结构的情况下,天线的阻抗带宽为675 MHz(中心频率为9.955 GHz时为6.78%),增益约为4.38 dB。通过在接地层中引入缺陷,可以改善微带天线在阻抗带宽、匹配性能、增益和回波损耗其结果是,带宽为1.652 GHz(16.42%,中心频率为10.06 GHz)和增益为8.96 dB以及5个不同的其他工作频带。 将微带天线与所提出的缺陷接地结构集成后,天线的有效覆盖面积减小了66.95%。当与建议的DGS阵列集成时,相同的天线阵列结构显示出高达78.97%的小型化。与其他技术相比,所提出的缺陷接地结构显示出两个E面耦合微带天线元件之间的极低互耦© 2016,Karabuk University.出版社:Elsevier B.V.1. 介绍通过选择合适的导线形状和尺寸,可以优化各种微波元件和电路的频率响应。由于这些组件的背面接地层(通常由铜等金属片制成)在设计阶段不提供自由度,因此缺陷接地结构(DGS)提出了一种替代解决方案,以改善基于微带线和共面波导(CPW)的微波组件的特性[1]。在[2,3]中已经报道了在接地层中蚀刻的各种开槽结构。接地层的任何修改或蚀刻都会改变其均匀性,通常称为它位于微带线或天线下方,并对齐以正确耦合到微带线或天线[4]。在DGS中,金属接地层经过仔细蚀刻,以获得所需的通带、阻带和慢波特性,这是由于电流分布的扰动或扰动,进而增加了其有效电容和电感[5,6]。这也影响了天线的输入阻抗和电流分布,从而最小化了天线相对于谐振频率的尺寸* 通讯作者。联系电话:+91 9958229359,传真:+91 011 25302813。电子邮件地址:munishkm1989@gmail.com网站,vandanausit@gmail.com(M.Kumar)。由Karabuk大学负责进行同行审查http://dx.doi.org/10.1016/j.jestch.2015.12.0032215-0986/© 2016,Karabuk University.出版社:Elsevier B.V.天线的频率[7]。这导致电磁波通过电介质层的禁止激发和传输[8]。在DGS中行进的电磁波在一定频率范围内提供阻带和通带特性,从而导致慢波结构[9]。DGS主要有两类:一类可能包括单个缺陷或晶胞,另一类可能包括一系列周期性或非周期性的小缺陷[10]。各种形状的DGS及其应用在[11本文提出了一种新颖的缺陷接地结构。在接地平面上引入缺陷可以提高微带天线及其阵列的性能。因此,设计和分析了一维EBG结构或DGS。首先讨论了它的设计原理,然后讨论了它在阵列设计中的应用。所提出的DGS的性能进行了评估,并与传统的微带天线与一个普通的接地平面。简单方形DGS(正和负)的设计程序、测量技术和带隙分析已在[19]中发表。本文提出了一种具有5个工作频带的紧凑型MSPA本文件的结构如下。第II节描述了传统的MSPA及其相关参数。首先,对传统MSPA的尺寸进行此后,在第三节中对所提出的DGS晶胞结构进行了尺寸分析。第四节描述了获得所提出的缺陷接地结构晶胞的过程。第五节介绍了出版社:Karabuk University,PressUnit ISSN(印刷版):1302-0056 ISSN(在线):2215-0986 ISSN(电子邮件):1308-2043主 办可 在 www.sciencedirect.com上 在 线ScienceDirect可在ScienceDirect上获得目录列表工程科学与技术国际期刊杂志主页:http://www.elsevier.com/locate/jestchM. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)8668672fr r1 22楼萨夫Z 电子研究了DGS各维单元的参数及其对天线特性的影响,最终优化了DGS结构。第六节包括不同阵列配置的建议DGS结构的天线charac-teristics的影响在第七节中,从微带天线阵列设计的角度比较了DGS与其他互耦降低技术。2. 单贴片天线设计选择Rogers RT/duroid 5880(εr= 2.2,厚度,h = 1.6mm,tanδ = 0.0009)作为介电材料。接地面的尺寸对于工作在频率fr的高效辐射器,放置在厚度h和介电常数εr,实际宽度由下式给出:CFig. 1. 传统微带贴片天线。别墅(1)代 入 光 速 c= 3.00 ×108 m/s , εr= 2.2 , fr= 10GHz , 得 到 W=9.1224mm,有效介电常数(由于边缘效应)为:图图1示出了在非缺陷接地平面上方的优化的常规微带天线,其被设计为在10 GHz左右工作。微带馈电用于激励天线。由于回波损耗水平和阻抗带宽受r 年月h中国12(二)进料位置,同样以0.25 mm开始的步长变化。埃夫拉夫22电话:+86-10 -8888888从极端角点向微带贴片或辐射器的中心移动。所以,只有那个进食点-设εr= 2.2,W = 9.122 mm,h = 1.6 mm,则εeff=3.18。边缘场引起的两个开口端的贴片长度扩展可计算为:我的天啊。3个月后,264选择回波损耗和阻抗带宽值最佳的位置。在这里,我们能够实现最好的结果时,饲料是在极端的角落使用。馈电宽度(Wf)也被考虑用于更好的阻抗匹配,因为它影响辐射结构。表2示出了控制器的模拟结果L 0.412hh我的天啊。258W.8(三)常规MSPA,显示非常小的%BW和增益值。h将εeff、W和h替换为它们的值,我们得到ΔL = 0.71537。贴片长度可以计算为:C表2传统MSPA的仿真结果L2(四)当 εeff= 3.1824 时 , L = 6.9718 mm , 馈 源 为 微 带 馈 源 , 长21.51407 mm,宽2.325 mm。常规微带天线和馈电的最终尺寸在表1中给出。辐射贴片的阻抗可以近似地给出如下:90公斤2公升公升R(五)贴片的阻抗为299.32Ω。由于我们使用微带馈电,因此为了在辐射贴片和馈电之间实现更好的阻抗匹配,馈电的长度和宽度取为2.325 mm和21.514mm。表1优化后的普通微带天线设计参数参数值λo30 mm工作频率fo10 GHz底物Rogers RT/duroid 5880基板厚度,h 1.6 mmεr2.2宽9.122毫米长6.9718毫米宽f2.325毫米长f21.514毫米图二. 拟定DGS结构(50 mm × 50 mm)的一个单元格示意图。S.号传统价值观S。常规值MSPA号MSPA1.频率(GHz)9.95505.BW675兆赫2.S 11(dB)-19.32876.体重百分比6.78753.VSWR1.24227.FBR156.9454.增益(dB)4.3841868M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866图三. 一种简单的DGS结构微带天线。表3建议的单元格DGS的尺寸。S. 号参数值S. 号参数值1.L120 mm5.S10 mm2.L218毫米6.W3毫米3.DT1.5毫米7.中央补片10 mm × 10 mm尺寸(s × s)4.Dp5毫米8.护角条2 mm(显示图(二)常规MSPACMSPA +建议见图4。拟定DGS结构(50 mm × 50 mm)的一个单元格示意图。(a)(b)第(1)款简单MSPA简单MSPA+DGS简单MSPA简单MSPA+DGS图五. 具有5个工作频带的简单MSPA和与所提出的DGS集成的MSPA的增益变化(dB)。(a)E面(b)10 GHz时的H面。M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866869了图6. 建议的DGS阵列与MSPA集成,以降低互耦水平。3. DGS单位单元配置和与MSPA的图2示出了所提出的在接地平面上的蚀刻缺陷接地结构。图3示出了所提出的DGS与辐射贴片的对准。所提出的DGS单元格的尺寸在表3中给出。所提出的DGS结构由接地层周围2mm它的中心有两个同心的正方形内正方形贴片和外正方形贴片的尺寸分别为s × s和L1×L1,其中s = 10 mm,L1= 20 mm,如表3所示。两个贴片之间的间隙为2 mm。它具有矩形图案,其厚度其两侧各3 mm(=L1-L2),每一个通过两个条带连接到中心外方形贴片。这些条的尺寸为dp×dT。DGS的设计是以这样的方式完成的,即更多的电场被捕获在缺陷内,从而引起电容效应,而围绕DGS流动的电流引起电感效应,这反过来又导致DGS的谐振特性。这导致带阻频率响应。图图4示出了常规MSPA(图1所示)与具有所提出的DGS的MSPA的回波损耗的比较。从图4中可以明显看出,带宽已经从675 MHz增加到1.6517 GHz,并且还获得了几个其他频带对于传统的MSPA,只有一个频段即在9.955 GHz(S11< - 10 dB),但在与建议的DGS集成后,还获得了7.5976、10.0601、12.5976、15.961和17.6276 GHz(S11 <-10 dB)的频带。因此,具有所提出的DGS的MSPA可以用于业余无线电、业余卫星应用以及其他C和Ku波段应用。由于我们已经获得了一个较低的谐振频率(在7.5976 GHz),以及,小型化高达66.95%已经实现。E和H平面在10 GHz时的增益分别如图5a和b所示。对于简单的MSPA,观察到4.3841 dB的增益,而在与所提出的DGS集成后,增益变为8.96分贝。在这里,还可以看到天线效率从1.0219到1.028的小幅上升4. DGS阵列及其阵列对天线特性的影响为了获得更好的阻抗匹配,增加工作频带和带宽的数量,相同的DGS图案在不同的水平上缩放并蚀刻在接地平面中。在图6中,示出了所提出的DGS结构(如图2所示)的缩放版本,以获得其2 ×2阵列。由于可以用精确的光刻技术蚀刻的最细的线是0.1 mm(大约),对2 × 2DGS阵列进行了仿真。在图7a和图7b中,比较了传统MSPA和具有建议的2 × 2 DGS的MSPA的E和H平面中的共偏振和交叉偏振水平。2 × 2阵列的仿真结果比较(a)(b)第(1)款见图7。2 × 2DGS阵列在fr = 7.6286GHz时的辐射方向图(A)E平面模式。(B)H平面模式。辐射方向图表明,MSPA具有很好的辐射性能,在E面交叉极化水平上,θ = 0°时衰减约8dB。常规MSPA(共极)2 × 2 DGS(共极)。常规MSPA(x-pol)2 × 2 DGS(x-pol)。870M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866传统贴片2×2拟定DGS4×4建议DGS见图8。2 × 2和4 × 4 DGS阵列与常规MSPA的比较。如图7a所示,在E平面中,所提出的DGS和传统MSPA之间的比较表明,共极化和交叉极化电平分别减少了3dB和7.261dB。此外,SLL(旁瓣电平)在传统MSPA中为3dB,但在与DGS积分后,它变为16.6372dB。类似地,在图7b所示的H平面中,共极化和交叉极化水平分别降低至2.63 dB和3.5 dB,SLL为24.05 dB。当我们在θ =0°(或E面)方向上蚀刻接地平面时,E面中的共极化和交叉极化水平有相当大的降低,而在θ = 90°(或H面)方向上的变化较小图 8显示了2 × 2和4 × 4 DGS阵列与传统MSPA的回波损耗比较结果。5. DGS与其他方法降低微带阵列互耦的比较E面耦合微带贴片天线阵的主要缺点是表面波激励强见图9。 选择MSPA阵列来比较互耦降低技术。因此,阵列的这些贴片天线之间存在很强的互耦。因此,它是有益的,以调查这种影响在传统的贴片阵列,具有谐振频率10GHz,随着我们提出的DGS及其阵列。这里,4种互耦合减少技术,即• 传统的MSPA,• 移除天线之间的衬底见图10。MSPA阵列之间具有移除的衬底。见图11。 MSPA阵列显示腔回互耦合减少技术。M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866871(a)(b)第(1)款图12. (a)MSPA阵列,在它们之间具有蘑菇型EBG结构。(b)蘑菇型EBG的近景。• 背腔MSPA,以及• MSPA与EBG结构之间。进行了模拟和比较。在比较上述互耦减小技术时,基板性质、天线尺寸和它们之间的距离保持恒定。图9示出了选择用于比较这些技术的MSPA阵列。表6示出了改变传统贴片天线之间的间隙的效果。在比较这些技术时,两个贴片之间的距离保持为0.5λo。图10示出了其中天线之间的基板被移除的MSPA阵列。图11示出了腔背相互缩减技术。图12a和b分别示出了蘑菇型EBG结构及其近视图。(表4)。表4贴片天线之间距离的影响。普通MSPA阵列0.35λo0.4λo0.5λo0.6λo频率(GHz)9.72979.894910.0459.939S11(dB)−15.209-19.370-18.296-19.649S21(dB)-8.8796-14.856-25.154-33.251带宽(GHz)1.18620.90090.7650.825图13示出了3线蘑菇型EBG支持的MSPA阵列与常规MSPA阵列的回波损耗比较。从表7中可以明显看出,蘑菇型EBG的3条线的相互降低约为9.39 dB,与所提出的DGS及其2 × 2结构(如表8和表9所示)相比,这一降低较小表5和表6示出了阵列元件之间的腔和衬底移除的效果。表7示出了蘑菇型EBG结构对MSPA阵列的影响 表8和表9显示了建议的DGS及其2 × 2阵列的效果(如图所示)。 5)在MSPA阵列上。从表10可以明显看出,所提出的DGS天线具有约23.71dB的最高互耦降低,这是所有降低技术中最高的。图14示出了可以实现高达78.973%的最小化,因为我们得到低于我们的谐振频带(即10GHz)的一个频带(6.111 GHz)但是,如果我们使用相同DGS的数组,会看到更好的结果。可以实现高达36.11 dB的互耦合降低,这也是所有方法中最低的。对于表10所示的比较,两个天线之间的距离取为0.5λo。在腔背衬和衬底移除的情况下,间隙或腔被取为3mm。如所预期的,在传统天线中,互耦合随着天线之间的间隔增加而减小。但是对于所提出的DGS及其阵列,观察到如图15所示的矛盾现象。(表56. 结论在这项工作中,全面调查缺陷的地面结构,它的各种配置及其对MSPA的特点的影响我们已经看到,传统的MSPA具有非常窄的带宽,并且由于 表面波激励和各种其它损耗。因此,它与所提出的缺陷接地结构相结合,以提高其性能,在其加宽的阻抗带宽,更高的增益和回波损耗。仅在9.9550 GHz处谐振的常规MSPA在与DGS集成之后在5个不同频率处开始谐振,即,在7.5976、10.0601、12.5976、15.961和17.6276 GHz处,保持FBR几乎恒定,如图所示。 十一岁峰值增益S11BS11A第S21A图十三. 普通微带阵列与蘑菇型EBG(三线)的S21参数比较这里872M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866S11AS11B第S21A图14. 普通微带阵列与DGS阵列S21参数的比较.这里天线增加了4.578分贝与建议的DGS。还观察到,当与常规MSPA相比时,DGS天线的谐振频率向下偏移。谐振频率的这种非常小的偏移是由于DGS的慢波效应在此基础上,将MSPA阵列与2 × 2DGS阵列集成后,器件的小型化率可达66.95%左右,达到78.973%表11显示,与[18,19,20,21]中给出的DGS相比,所提出的DGS显示互耦降低23.71 dB,分别增强5.43 dB、2.528 dB、17.52和20 dB。表12为近距离观察2 × 2和4 × 4DGS阵列对MSPA的影响积累了所有必要的数据。(图 16)。图15. 谐振频率下的互耦与贴片分离。M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866873表5贴片天线之间的空腔效应。凹背d = 1 mmd = 2 mmd = 3 mmd = 4 mm频率(GHz)10.060110.009.98509.9700S11(dB)-17.9965-18.7182−19.00-19.973S21(dB)-38.3343-40.4254-31.8196-37.1151带宽(MHz)765.8825.8810.8855.9表6贴片天线间基板移除的影响。去除底物d = 1 mmd = 2 mmd = 3 mmd = 4 mm频率(GHz)10.0009.979.909910.015S11(dB)-19.0332-19.2027-20.4803-19.9487S21(dB)-34.2871-32.3325-28.1368-19.9487增益(dB)5.47445.47225.29775.4409带宽(MHz)795.8810.8810.8780.8表7蘑菇型EBG对MSPA阵列的影响。去除底物1线3行5行频率(GHz)10.22529.81989.8949S11(dB)-15.2117-13.4934-23.508S21(dB)-14.8324-23.9901-34.5483带宽(GHz)1.12611.12611.5816表8不同天线间距下缺陷接地结构的效果。去除底物0.35λo0.4λo0.5λo0.6λo频率(GHz)10.660710.645610.435410.3303S11(dB)-24.4717-25.2230-33.0166-25.2955S21(dB)-17.8625-19.9816-48.8657-21.3392带宽(GHz)1.42641.33631.21621.2012表92 × 2阵列的建议缺陷接地结构的天线之间去除底物0.35λo0.4λo0.5λo0.6λo频率(GHz)10.991011.231211.531511.9069S11(dB)-47.2128-28.6775−19.1814−135638S21(dB)-28.3554-32.7135-61.2643-33.8564带宽(GHz)1.21621.20121.15621.0961表10不同互耦降低技术的比较。不同的技术基板移除背腔EBG(5层)DGSDGS2 × 2阵列互耦降低(dB)2.986.669.3923.7136.11表11与其他不同的缺陷接地结构的比较。不同的技术提出拟议的DGS[18][19][20][21]2 × 2阵列互耦降低(dB)23.7136.11 18.28两千五百二十八17.5220表12不同2 × 2和4 × 4 DGS阵列配置的仿真结果DGS阵列2 × 2S11(dB)-28.774-17.431-15.758−15.903-42.811−17.103-17.848-13.657-11.522-11.985频率(GHz)7.628612.71677.63967.9828.70279.927910.702712.864913.5676带宽(GHz)2.60362.94390.32430.12610.81080.18020.10810.55860.19820.9730FBR195.0374.1270.27849.44459.715104.0651.27988.661483.770.208乐队数量2体重(%)34.12923.154.2461.57989.30741.81501.01004.34201.46085.3786HPBW52°28°33°29°53°70°39°102°29°21°电场(dB)19.100118.113524.414516.801614.66289.237412.53209.472612.86159.329084 × 4874M. Kumar,V.Nath/Engineering Science and Technology,an International Journal 19(2016)866图16. 简单或传统MSPA的S21(dB)比较,有和没有建议的DGS及其阵列。参比品[1] R. 加格岛Bahl,M.Bozzi,缺陷接地结构(DGS),载于:微带线和开槽线,Artech House,2013年,第100页。305-341[2] D. Ahn,J.- S.公园,C.- S. Kim,J. Kim,Y. Qian,T. Itoh,采用新型微带缺陷 接 地 结 构 的 低 通 滤 波 器 设 计 , IEEE Trans. 微 波 理 论 技 术 49 ( 1 )(2001)86-93。[3] A.B. Abdel-Rahman,A.K. Verma,A. Boutejdar,A.S.李文,高-低阻微带滤波器的带阻特性研究,硕士论文。52(3)(2004)1008-1013。[4] G.张文,微带电路中的缺陷接地结构,高频电子,(2008)50-54 , doi :10.1017/S1759078713000639。[5] T. Morya,使用缺陷接地结构和缺陷微带结构的带通滤波器的建模,J.Comp. Electr. Springer US 12 ( 2 ) ( 2013 ) 287-296 , doi :10.1007/s10825-013-0445-z。[6] M.K. Mandal,S.李文,一种新型的平面电路缺陷接地结构,IEEE微波无线通 信 。 Lett. 16 ( 2 ) ( 2006 ) 93- 9 5 , d o i : 1 0 . 1 1 0 9 /L M W C . 2 0 0 5 . 8 6 3 1 9 2 。[7] H. Elftouh,N.A. Touhami,M. Aghoutane,S. El Amrani,A.塔松湾布苏瓦,具有 缺 陷 接 地 结 构 的 小 型 化 微 带 贴 片 天 线 , 研 究 进 展 。 电 磁 场 Res. C. 55(2014)25-33 , doi : 10.2 528 / PIER C 140 923 02 。[8] M.S.阿拉姆,M. Tariqul,H. 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