由4K×4位的SRAM芯片组成一个16K×8位的存储系统，该SRAM芯片的控制信号有/CS和/WE，CPU提供的控制信号有R/W ̅和/MREQ。请进行分析并画出连接图。

好的，您的问题是由4K×4位的SRAM芯片组成一个16K×8位的存储系统，该SRAM芯片的控制信号有/CS和/WE，CPU提供的控制信号有R/W ̅和/MREQ。现在我会进行分析并画出连接图。

首先，由于我们需要构建一个16K×8位的存储系统，因此我们需要使用4个4K×4位的SRAM芯片，并通过合理的管脚连接构建一个并行存储器。

SRAM芯片的管脚包括地址线、数据线、控制信号等。其中，地址线用于指定读写的存储单元地址；数据线用于传输数据；控制信号则是对SRAM芯片进行操作的信号。

根据问题描述，每个SRAM芯片有两个控制信号：/CS和/WE。其中，/CS用于唤醒SRAM芯片，/WE用于控制写操作。

CPU提供的控制信号有R/W ̅和/MREQ，其中R/W ̅用于指示读写操作，/MREQ用于唤醒存储器进行操作。

因此，我们可以将4个SRAM芯片的地址线、数据线分别连在一起，接入CPU的地址线、数据线。每个SRAM芯片的/CS管脚连接到CPU提供的一个芯片选择信号，如CS0、CS1、CS2、CS3，表示选择哪一个SRAM芯片。/WE管脚连接到CPU提供的写入控制信号W ̅，高电平表示读操作，低电平表示写操作。

下面是连接图：

请注意，此连接图并非唯一的，具体的连接方式可能根据芯片和CPU的具体型号不同而略有差异。

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- 将两个SRAM芯片分别连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将两个SRAM芯片的片选信号连接到一个门电路上，这样只有当CPU访问32K地址范围内的时候，门电路才会打开，同时两个SRAM芯片才会被选中；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取高16位数据，将它们合并为一个32位数据。

2. 串联方式

在串联方式下，需要使用一个16K*8位的SRAM芯片和一个16K*8位的存储器芯片（如EPROM或Flash），并将它们串联起来。具体实现步骤如下：

- 将SRAM芯片连接到CPU的地址总线和数据总线上；
- 将存储器芯片的输出引脚连接到SRAM芯片的高8位数据输入引脚上；
- 当CPU读取数据时，先读取低16位数据，然后再读取存储器芯片输出的高8位数据，将它们合并为一个32位数据。

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