nmos管漏极接负电

NMOS（场效应晶体管）是一种常用的电子元件，在其基本结构中，漏源（Drain-Source, DS）连接形成了电流流动的主要路径。当漏极（Drain）接负电时，它的名称来源于"draining"，意味着它会成为一个“漏电”的端口，即从这个点往外漏出电子。在这种状态下：

1. **栅极到源极之间的电压**通常是正的，称为栅源电压（VGS），这使得栅极对源极形成一个电势差，让源极的多数载流子（通常在硅材料中是自由电子）被排斥到漏极。

2. **由于栅极偏压的作用，**MOSFET进入截止状态，此时通道内的电阻非常高，几乎没有电流通过，表现为高阻抗。

3. **在数字电路中，当漏极为低电位（如地线）时，**相当于信号关闭或处于0的状态，常用于开关控制应用。