在设计微机存储系统时，如何计算不同类型的半导体存储器的地址范围？同时，地址范围是如何与存储器的存储容量和存取时间相关联的？

要计算半导体存储器的地址范围并理解其与存储容量和存取时间的关联，首先需要了解地址线的数量和它如何决定可寻址的存储单元数量。地址线的数量决定了可以寻址的最大地址空间，即2^n个不同的地址，其中n是地址线的数量。例如，如果有16条地址线，则理论上可以寻址2^16 = 65536个不同的地址。

参考资源链接：[存储器地址范围计算：微机原理详解](https://wenku.csdn.net/doc/3d03jsrcxa?spm=1055.2569.3001.10343)

存储器的存储容量，通常以字节为单位，是存储元数量的直接体现。每个存储元能够存储一个位（bit）的数据。因此，存储容量（字节）可以通过以下公式计算：
存储容量（字节）= 存储单元的数量 × 字长（位）

存储单元的数量与地址范围直接相关，地址范围确定了有多少存储单元是可寻址的。例如，如果有16条地址线，那么最大的存储单元数量为64K（2^16 / 8，因为8位组成一个字节）。

存取时间（TA）是描述存储器性能的另一个重要指标，它表示从发出读取或写入指令到存储器响应的时间。存取时间直接影响了微机系统的执行效率。对于不同类型存储器，存取时间会有所不同。例如，SRAM由于内部结构简单，存取时间通常比DRAM短，DRAM需要定期刷新，因此存取时间较长。存取时间也与存储容量有关，通常容量越大的存储器，其内部结构更为复杂，存取时间可能会更长。

为了深入理解这些概念，推荐阅读《存储器地址范围计算：微机原理详解》。这本书在

参考资源链接：[存储器地址范围计算：微机原理详解](https://wenku.csdn.net/doc/3d03jsrcxa?spm=1055.2569.3001.10343)