rk3326 修改ddr驱动强度 代码案例

下面是一个简单的代码案例，用于修改rk3326的DDR驱动强度：

#include <stdio.h>
#include <stdlib.h>
#include <fcntl.h>
#include <sys/mman.h>

#define DDR_PHY_REG0 0x101c0000
#define DDR_PHY_REG1 0x101c0004
#define DDR_PHY_REG2 0x101c0008

#define DDR_DRV_STRENGTH_BIT 0x3

int main()
{
    int fd;
    void *ddr_phy_reg;
    unsigned int reg_value;

    // 打开DDR控制器寄存器
    fd = open("/dev/mem", O_RDWR | O_SYNC);
    if (fd < 0) {
        printf("Failed to open /dev/mem\n");
        return -1;
    }

    // 映射DDR PHY寄存器
    ddr_phy_reg = mmap(NULL, 0x10000, PROT_READ | PROT_WRITE, MAP_SHARED, fd, DDR_PHY_REG0);
    if (ddr_phy_reg == MAP_FAILED) {
        printf("Failed to mmap DDR PHY register\n");
        close(fd);
        return -1;
    }

    // 读取DDR PHY寄存器1的值
    reg_value = *(volatile unsigned int*)(ddr_phy_reg + DDR_PHY_REG1);
    printf("Original DDR PHY register1 value: 0x%08x\n", reg_value);

    // 修改DDR驱动强度
    reg_value &= ~(DDR_DRV_STRENGTH_BIT << 16); // 清除控制位
    reg_value |= (0x2 << 16); // 设置控制位，驱动强度为2
    *(volatile unsigned int*)(ddr_phy_reg + DDR_PHY_REG1) = reg_value; // 写入修改后的值

    // 读取DDR PHY寄存器1的值
    reg_value = *(volatile unsigned int*)(ddr_phy_reg + DDR_PHY_REG1);
    printf("Modified DDR PHY register1 value: 0x%08x\n", reg_value);

    // 解除映射
    munmap(ddr_phy_reg, 0x10000);
    close(fd);

    return 0;
}

该代码使用mmap()函数将DDR PHY寄存器映射到内存中，并通过指针访问寄存器中的值。修改驱动强度时，先读取寄存器的值，然后通过位运算修改控制位的值，最后将修改后的值写入到寄存器中。该代码只是一个简单的示例，实际使用时需要根据rk3326的技术手册进行修改，同时注意对硬件进行保护。