IGBT短路耐受时间

时间: 2023-10-16 22:00:21 浏览: 180
IGBT短路耐受时间与其跨导或增益以及IGBT芯片热容量有关。增益较高的IGBT会导致较高的短路电流,从而降低短路耐受时间。然而,较高的增益也会导致较低的通态导通损耗,需要在增益和短路耐受时间之间进行权衡取舍。此外,技术的进步导致使用芯片尺寸更小,缩小了模块尺寸,但也降低了热容量,进一步缩短了短路耐受时间。因此,IGBT的短路耐受时间受到多个因素的影响,包括增益、热容量和芯片尺寸等。\[1\] #### 引用[.reference_title] - *1* [嵌入式分享合集79](https://blog.csdn.net/qq_29788741/article/details/127387986)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *2* [关于碳化硅,不可不知的10件事!](https://blog.csdn.net/REASUNOS/article/details/127337639)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [第三代电力电子半导体:SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案](https://blog.csdn.net/qq_41600018/article/details/121890893)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]
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