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时间: 2023-08-28 11:05:33 浏览: 343

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IRFM120ATF-VB场效应管一款N沟道SOT223封装的晶体管

IRFM120ATF-VB是一款N沟道场效应晶体管，采用了高效的TrenchFET技术，并且封装在小型的SOT223封装中。这款晶体管设计用于高效率、高性能的应用，具备耐高温特性，其最大结温可达到175°C。它符合RoHS指令2002/95/EC的要求，是环保无卤素的产品。在电气特性方面，IRFM120ATF-VB具有100V的漏源电压（VDS）额定值，这表明它可以承受的最大电压为100V。在VGS = 10V时，其漏源导通电阻（RDS(on)）为0.100Ω，而在VGS = 4.5V时，这一数值为0.120Ω。这意味着在这些栅极电压下，该晶体管的内阻较低，可提供良好的导电性能。此外，连续漏电流（ID）在不同温度下的最大值分别是：TJ = 25°C时为5.0A，TJ = 70°C时为3.5A。瞬态漏电流（IDM）的最大值为25A，这是在脉冲测试条件下，脉宽不超过300微秒，占空比小于2%的情况下的峰值电流。而雪崩电流（IAS）的最大值为15A，单脉冲雪崩能量（EAS）为11毫焦，这显示了该晶体管在过载条件下的稳定性。在热性能方面，最大结到环境的热阻（RthJA）在≤10秒的脉冲状态下为36°C/W，而在稳态下则为75°C/W。结到脚的热阻（RthJF）稳态下为17°C/W。最大功率耗散（PD）在TJ = 25°C时为3.3W，在TJ = 70°C时降至1.7W。这意味着在不同的工作温度下，晶体管能够安全地散发出相应的热量。 IRFM120ATF-VB的其他关键参数包括静态特性，如漏源击穿电压（VDS），当VGS = 0V，ID = 250μA时，该值为100V。门阈值电压（VGS(th)）在VDS = VGS且ID = 250μA时定义，门体漏电流（IGSS）在VDS = 0V，VGS = ±20V时应小于100nA。零栅压漏电流（IDSS）在VDS = 100V，VGS = 0V，TJ = 55°C时为1μA至20μA之间。此外，该器件在开启状态下的漏源电流（IDSS）随VDS的变化也非常重要，因为它决定了晶体管在非驱动状态下的漏电流水平。在特定的测试条件下，这些参数提供了关于IRFM120ATF-VB性能和效率的关键信息，使其适用于各种电子设备，如电源管理、电机控制、开关模式电源等应用。 IRFM120ATF-VB是一款高性能的N沟道场效应晶体管，以其低RDS(on)，高工作温度，以及紧凑的封装尺寸而脱颖而出。它的设计考虑了环境友好性，同时也确保了在严苛工作环境下的可靠性。对于需要高效能、小体积和稳定性的电路设计来说，这是一个理想的选择。用户可以通过VBsemi提供的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和技术支持。

根据这些日志，引导原因(BOOT_REASON)仍然是4，表示正常引导。IS_ABNORMAL_BOOT为0，也表明引导过程没有异常。次级引导加载程序是AArch32架构。platform_setup_cpu()函数被调用来设置处理器相关的配置。NS-SCR_EL3的值为0x205，可能是关于安全状态的信息。SMART RESET为FALSE，表示上一次重置不是由SMART RESET触发的。最后一行提到了kedump: last is full pmic reset!，这可能是一个关于最后一次重置的信息，指示上一次重置是由于PMIC(电源管理集成电路)满载触发的。此外，还有关于RAM_CONSOLE的信息，包括其起始地址、大小以及一些十六进制值。如果你有任何进一步的问题，请随时提问。

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