stm32f411 读写内部flash的完整代码

STM32F411的内部Flash读写操作通常涉及HAL库（Hardware Abstraction Layer）提供的API。以下是一个使用HAL库进行STM32F411 Flash读写的简化示例代码：

#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "usart.h" // 如果你打算通过串口显示操作结果

// Flash操作结构体
typedef struct {
    uint32_t Address; // 操作地址
    uint32_t Data;    // 数据（写入时）
    uint32_t Buffer; // 用于读取的缓冲区
} FlashOperation;

void flash_erase_sector(FlashOperation *op) {
    HAL_FLASHEx_Erase(&op->Address, FLASH_BANK_1, op->Address & (FLASH_SIZE - 1));
}

void flash_program_page(FlashOperation *op) {
    HAL_FLASHEx_Program(&op->Address, FLASH_BANK_1, op->Buffer, op->Address & ~(FLASH_PAGE_SIZE-1), FLASH_WORD);
}

void flash_read_page(FlashOperation *op) {
    HAL_FLASHEx_ReadIDR(&op->Address, op->Buffer, FLASH_BANK_1);
}

int main(void) {
    // 初始化硬件和HAL库
    HAL_Init();
    __HAL_RCC_USARTx_CLK_ENABLE(); // 例如USART3用于串口通信

    FlashOperation op = {0};
    op.Address = 0x8000000; // 设置要操作的Flash地址，具体地址要根据实际应用
    op.Data = 0x12345678; // 写入数据，只在写操作中使用

    // 擦除特定扇区
    flash_erase_sector(&op);

    // 写入数据到指定地址
    if (flash_program_page(&op) != HAL_OK) {
        // 处理错误
        return 1;
    }

    // 读取同一地址的数据
    if (flash_read_page(&op)) {
        // 打印读取到的数据
        USART3_SendData(op.Buffer);
    } else {
        // 处理错误
        return 1;
    }

    while (1) {
        // 循环等待更多操作
    }
}