用16K*8位的SRAM芯片设计一个32K*16位的存储器,SRAM芯片有两个控制端nCS和nWE:当nCS=0时SRAM被选中。当nWE=0时,进行写操作,当nWE=1时,进行读操作。CPU的地址总线为A15~A0,数据总线为D15~D0,读写控制信号为R/nW(R/nW=1时,进行读操作;R/nW=0时,进行写操作),访存控制信号为nMREQ(nMREQ=0时访存)。问:设计该存储器总共需要()片SRAM芯片
时间: 2023-06-27 22:05:25 浏览: 191
由题可知,每个SRAM芯片可以存储16K*8位=16KB的数据,而需要设计一个32K*16位的存储器,因此需要使用两个16K*8位的SRAM芯片。
由于CPU的数据总线为D15~D0,每个SRAM芯片只能输出8位数据,因此需要将两个SRAM芯片的数据合并成16位数据输出给CPU。具体实现时,可以将其中一个SRAM芯片的数据输出到低8位,另一个SRAM芯片的数据输出到高8位。
对于地址信号,CPU的地址总线为A15~A0,需要使用其中的A14作为SRAM芯片的片选信号nCS,使用R/nW作为nWE,其余地址信号连接到SRAM芯片的地址输入端。
综上所述,设计该存储器需要2片SRAM芯片。
相关问题
由16K*8位的SRAM芯片设计一个32K*16位
要将16K*8位的SRAM芯片扩展为32K*16位,需要将每个地址上的8位数据合并为16位数据。具体实现可以使用以下两种方式之一:
1. 并联方式
在并联方式下,需要使用两个16K*8位的SRAM芯片,并将它们并联起来。具体实现步骤如下:
- 将两个SRAM芯片分别连接到CPU的地址总线和数据总线上;
- 将两个SRAM芯片的片选信号连接到一个门电路上,这样只有当CPU访问32K地址范围内的时候,门电路才会打开,同时两个SRAM芯片才会被选中;
- 当CPU读取数据时,先读取低16位数据,然后再读取高16位数据,将它们合并为一个32位数据。
2. 串联方式
在串联方式下,需要使用一个16K*8位的SRAM芯片和一个16K*8位的存储器芯片(如EPROM或Flash),并将它们串联起来。具体实现步骤如下:
- 将SRAM芯片连接到CPU的地址总线和数据总线上;
- 将存储器芯片的输出引脚连接到SRAM芯片的高8位数据输入引脚上;
- 当CPU读取数据时,先读取低16位数据,然后再读取存储器芯片输出的高8位数据,将它们合并为一个32位数据。
需要注意的是,在实现32K*16位的存储器时,还需要考虑地址映射的问题。具体来说,需要将32K地址空间中的每个地址映射到16K地址空间中的某个地址上,以便CPU可以正确地访问到数据。
要求用256k x 16位sram芯片设计1024k x 32位的存储器。sram芯片有两个控制端:当cs
为高电平时,表示片选有效,可以读写数据;当we为低电平时,表示写操作有效。根据题目要求,我们需要设计一个1024k x 32位的存储器,可以使用4个256k x 16位的SRAM芯片来实现。
首先,我们将4个SRAM芯片连接在一起,将它们的地址引脚和数据引脚连接起来。然后,将它们的片选CS引脚接到一个逻辑电路上,当对应的地址范围被选中时,逻辑电路会输出高电平,从而选择对应的SRAM芯片。
接下来,我们设计控制逻辑电路来控制写入和读取操作。当进行写操作时,我们将32位的数据分为两个16位的数据,分别写入两个选中的SRAM芯片里。
当进行读取操作时,我们将两个选中的SRAM芯片的输出数据连接到一个数据复用器上,通过控制复用器选择不同的输入端口来获取32位的数据。
此外,在内部控制逻辑电路中,当进行读操作时,需要将WE引脚设置为高电平,表示写操作无效。这样可以防止在读取操作中意外地将数据写入到SRAM芯片中。
综上所述,我们可以通过将4个256k x 16位的SRAM芯片连接起来,设计一个1024k x 32位的存储器。通过控制片选CS引脚和写操作使能WE引脚,我们可以实现对数据的读写操作。在读取操作中,需要将数据复用器设计为能够选择对应的SRAM芯片输出数据。