有一个1024Kx32 位的存储器，由 128Kx8 位的 DRAM 芯片构成。问: 5.要求用 256Kx16 位SRAM 芯片设计1024Kx32位的存储器。SRAM 芯片有两个控制端:当CS有 免其缺点，从灵谢效时，该片选中。当W/R=1时执行读操作，当W/R=0时执行写操作。

为了设计1024Kx32位的存储器，需要使用4个256Kx16位的SRAM芯片，其中两个用于存储低16位数据，另外两个用于存储高16位数据。具体设计方案如下：

1. 将地址线分为两部分，前10位用于选择行地址，后5位用于选择列地址（32位数据需要两个16位的列地址）。

2. 将低16位数据和高16位数据分别存储在两个256Kx16位的SRAM芯片中。每个SRAM芯片能够存储256Kx16位=4M位的数据，因此可以存储512Kx16位的数据，正好满足存储低16位和高16位数据的需求。

3. 在读取数据时，先通过地址线选择行地址和列地址，使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为1，执行读操作，读取对应的16位数据。由于需要读取两次，因此需要将读取的低16位数据和高16位数据组合起来，形成32位的数据。

4. 在写入数据时，同样需要通过地址线选择行地址和列地址，使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为0，执行写操作，将32位数据分为低16位和高16位写入对应的SRAM芯片中。

需要注意的是，由于使用的是SRAM芯片，它们的速度比DRAM芯片快，因此需要考虑如何保证存储器的整体速度以及数据的一致性。可以采用流水线等技术来提高速度，同时需要加上适当的同步电路来保证数据的一致性。