利用256k*1位的SRAM芯片设计存储容量为256k*8位的存储器，画出电路图，从控制线，地址线，数据线三个方面描述其工作原理

这是一个比较技术性的问题，我尽量用通俗易懂的语言回答。

首先，需要了解 SRAM（静态随机存储器）的基本原理。SRAM 的存储单元由一个触发器组成，每个触发器可以存储一个比特（1 或 0），而每个触发器都有一个地址，用于访问和读写它存储的比特。

对于这个问题中的 256k*1 位的 SRAM 芯片，它实际上是由 256k 个触发器组成的。但是，每个触发器只能存储一个比特，因此需要将 8 个触发器组合在一起，才能存储一个 8 位的字节。

接下来，我们来看一下如何设计这个存储器。首先，需要 19 个地址线，用于访问 256k 个触发器。其次，需要 8 条数据线，用于读写存储的数据。最后，需要一些控制线，用于控制存储器的读写操作。

具体来说，这个存储器包含以下控制线：

- 地址使能（CE）：用于启用地址线，使得存储器可以响应访问操作。
- 读使能（OE）：用于启用数据线的输出，使得可以读取存储器中存储的数据。
- 写使能（WE）：用于启用数据线的输入，使得可以将数据写入存储器中。

当需要读取存储器中的数据时，需要将地址线的值设置为要读取的地址，然后将 CE 和 OE 都设置为高电平，此时存储器会将该地址处存储的 8 位数据输出到数据线上。

当需要向存储器中写入数据时，需要将地址线的值设置为要写入的地址，然后将 CE 和 WE 都设置为高电平，此时将要写入的 8 位数据输入到数据线上，存储器会将该数据存储到该地址处。

需要注意的是，CE、OE 和 WE 都是控制线，它们的值需要在正确的时刻设置为高电平或低电平，否则就会导致存储器的读写操作失败。

至此，我已经从控制线、地址线、数据线三个方面描述了这个存储器的工作原理，希望我的回答能够帮助你。