利用256k*1位的SRAM芯片设计存储容量为256k*8位的存储器,画出电路图,从控制线,地址线,数据线三个方面描述其工作原理

时间: 2023-08-22 19:03:53 浏览: 111
这是一个比较技术性的问题,我尽量用通俗易懂的语言回答。 首先,需要了解 SRAM(静态随机存储器)的基本原理。SRAM 的存储单元由一个触发器组成,每个触发器可以存储一个比特(1 或 0),而每个触发器都有一个地址,用于访问和读写它存储的比特。 对于这个问题中的 256k*1 位的 SRAM 芯片,它实际上是由 256k 个触发器组成的。但是,每个触发器只能存储一个比特,因此需要将 8 个触发器组合在一起,才能存储一个 8 位的字节。 接下来,我们来看一下如何设计这个存储器。首先,需要 19 个地址线,用于访问 256k 个触发器。其次,需要 8 条数据线,用于读写存储的数据。最后,需要一些控制线,用于控制存储器的读写操作。 具体来说,这个存储器包含以下控制线: - 地址使能(CE):用于启用地址线,使得存储器可以响应访问操作。 - 读使能(OE):用于启用数据线的输出,使得可以读取存储器中存储的数据。 - 写使能(WE):用于启用数据线的输入,使得可以将数据写入存储器中。 当需要读取存储器中的数据时,需要将地址线的值设置为要读取的地址,然后将 CE 和 OE 都设置为高电平,此时存储器会将该地址处存储的 8 位数据输出到数据线上。 当需要向存储器中写入数据时,需要将地址线的值设置为要写入的地址,然后将 CE 和 WE 都设置为高电平,此时将要写入的 8 位数据输入到数据线上,存储器会将该数据存储到该地址处。 需要注意的是,CE、OE 和 WE 都是控制线,它们的值需要在正确的时刻设置为高电平或低电平,否则就会导致存储器的读写操作失败。 至此,我已经从控制线、地址线、数据线三个方面描述了这个存储器的工作原理,希望我的回答能够帮助你。

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