利用多片256K×1位的SRAM芯片设计存储容量为256K×8位的SRAM存储器。要求:画出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

首先，我们需要将256K×8位的SRAM存储器划分为256K个存储单元，每个存储单元可以存储8位数据。然后，我们需要使用8片256K×1位的SRAM芯片，每个芯片只能存储1位数据，因此需要将8个芯片的数据位连接起来，才能形成8位数据的存储单元。

接下来，我们来看看电路原理图：


控制线：

OE (Output Enable) 控制输出使能，当 OE 为低电平时，输出数据才有效。

WE (Write Enable) 控制写使能，当 WE 为低电平时，数据才能被写入存储器。

CS (Chip Select) 控制芯片使能，当 CS 为低电平时，芯片才能工作。

地址线：

A0 ~ A17 为地址线，用来寻址256K个存储单元。

数据线：

D0 ~ D7 为数据线，用来存储8位数据。

工作原理：

1. 写入数据：当 WE 为低电平，CS 为低电平，地址线给出要写入的地址时，数据线上的数据就会被写入到对应的存储单元中。

2. 读取数据：当 OE 为低电平，CS 为低电平，地址线给出要读取的地址时，存储单元中的数据就会被输出到数据线上。

3. 存储器的工作原理是基于地址寻址的，可以将每个存储单元看作一个箱子，每个箱子里可以存储8位数据。地址线就相当于箱子编号，可以找到对应的箱子，数据线就是箱子里存储的数据。

4. 因为使用了8片256K×1位的SRAM芯片，所以需要将这8个芯片的数据位连接起来，才能形成8位数据的存储单元。每个芯片的地址线和控制线都是共用的，所以需要使用译码器进行地址和控制信号的解码。