利用多片 1K×4位的SRAM 芯片设计存储容量为zK×8位的 SRAM 存储器。要求：画出电 路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

好的，我会尽力为您解答。假设需要设计的 SRAM 存储器容量为 zK×8 位，其中 z 为一个整数，我们可以采用多片 1K×4 位的 SRAM 芯片来实现。具体的电路原理图如下所示：


其中，每个 SRAM 芯片都有自己的地址线、数据线、写使能（WE）信号、输出使能（OE）信号和电源线。为了方便控制，我们需要使用地址译码器，将 CPU 提供的地址信号转换为相应的片选信号和地址信号，用于选择对应的 SRAM 芯片和相应的内部地址。

下面从控制线、地址线、数据线三个方面，描述一下 SRAM 存储器的工作原理：

1. 控制线

SRAM 存储器的控制线主要包括写使能（WE）信号和输出使能（OE）信号。当 WE 信号为高电平时，CPU 向 SRAM 存储器中写入数据，此时数据线上的数据会被写入到相应的存储单元中。当 OE 信号为高电平时，SRAM 存储器中的数据会通过数据线输出到 CPU 中。

2. 地址线

SRAM 存储器的地址线用于选择相应的存储单元。由于我们采用的是多片 SRAM 芯片，因此需要使用地址译码器将 CPU 提供的地址信号转换为相应的片选信号和地址信号，用于选择对应的 SRAM 芯片和相应的内部地址。例如，对于一个 2K×8 位的 SRAM 存储器，可以采用 2 片 1K×4 位的 SRAM 芯片，其中每片 SRAM 芯片的地址线为 10 位，而存储器的地址线为 11 位。因此，我们可以使用一个 1:2 的地址译码器，将 CPU 提供的 11 位地址信号转换为 2 位片选信号和 9 位地址信号，用于选择对应的 SRAM 芯片和相应的内部地址。

3. 数据线

SRAM 存储器的数据线用于存储和输出数据。当 CPU 向 SRAM 存储器中写入数据时，数据会被写入到相应的存储单元中；当 CPU 从 SRAM 存储器中读取数据时，存储器会将数据通过数据线输出到 CPU 中。

希望这些信息对您有所帮助！