要求用256k x 16位sram芯片设计1024k x 32位的存储器。sram芯片有两个控制端:当cs
时间: 2023-09-22 11:02:51 浏览: 126
为高电平时,表示片选有效,可以读写数据;当we为低电平时,表示写操作有效。根据题目要求,我们需要设计一个1024k x 32位的存储器,可以使用4个256k x 16位的SRAM芯片来实现。
首先,我们将4个SRAM芯片连接在一起,将它们的地址引脚和数据引脚连接起来。然后,将它们的片选CS引脚接到一个逻辑电路上,当对应的地址范围被选中时,逻辑电路会输出高电平,从而选择对应的SRAM芯片。
接下来,我们设计控制逻辑电路来控制写入和读取操作。当进行写操作时,我们将32位的数据分为两个16位的数据,分别写入两个选中的SRAM芯片里。
当进行读取操作时,我们将两个选中的SRAM芯片的输出数据连接到一个数据复用器上,通过控制复用器选择不同的输入端口来获取32位的数据。
此外,在内部控制逻辑电路中,当进行读操作时,需要将WE引脚设置为高电平,表示写操作无效。这样可以防止在读取操作中意外地将数据写入到SRAM芯片中。
综上所述,我们可以通过将4个256k x 16位的SRAM芯片连接起来,设计一个1024k x 32位的存储器。通过控制片选CS引脚和写操作使能WE引脚,我们可以实现对数据的读写操作。在读取操作中,需要将数据复用器设计为能够选择对应的SRAM芯片输出数据。
相关问题
有一个1024Kx32 位的存储器,由 128Kx8 位的 DRAM 芯片构成。问: 5.要求用 256Kx16 位SRAM 芯片设计1024Kx32位的存储器。SRAM 芯片有两个控制端:当CS有 免其缺点,从灵谢效时,该片选中。当W/R=1时执行读操作,当W/R=0时执行写操作。
为了设计1024Kx32位的存储器,需要使用4个256Kx16位的SRAM芯片,其中两个用于存储低16位数据,另外两个用于存储高16位数据。具体设计方案如下:
1. 将地址线分为两部分,前10位用于选择行地址,后5位用于选择列地址(32位数据需要两个16位的列地址)。
2. 将低16位数据和高16位数据分别存储在两个256Kx16位的SRAM芯片中。每个SRAM芯片能够存储256Kx16位=4M位的数据,因此可以存储512Kx16位的数据,正好满足存储低16位和高16位数据的需求。
3. 在读取数据时,先通过地址线选择行地址和列地址,使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为1,执行读操作,读取对应的16位数据。由于需要读取两次,因此需要将读取的低16位数据和高16位数据组合起来,形成32位的数据。
4. 在写入数据时,同样需要通过地址线选择行地址和列地址,使对应的SRAM芯片被选中。接着将W/R设置为0,执行写操作,将32位数据分为低16位和高16位写入对应的SRAM芯片中。
需要注意的是,由于使用的是SRAM芯片,它们的速度比DRAM芯片快,因此需要考虑如何保证存储器的整体速度以及数据的一致性。可以采用流水线等技术来提高速度,同时需要加上适当的同步电路来保证数据的一致性。
利用多片256K×1位的SRAM芯片设计存储容量为256K×8位的SRAM存储器。要求:画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。
首先,我们需要将256K×8位的SRAM存储器划分为256K个存储单元,每个存储单元可以存储8位数据。然后,我们需要使用8片256K×1位的SRAM芯片,每个芯片只能存储1位数据,因此需要将8个芯片的数据位连接起来,才能形成8位数据的存储单元。
接下来,我们来看看电路原理图:
![SRAM存储器电路原理图](https://img-blog.csdn.net/20180411152531910)
控制线:
OE (Output Enable) 控制输出使能,当 OE 为低电平时,输出数据才有效。
WE (Write Enable) 控制写使能,当 WE 为低电平时,数据才能被写入存储器。
CS (Chip Select) 控制芯片使能,当 CS 为低电平时,芯片才能工作。
地址线:
A0 ~ A17 为地址线,用来寻址256K个存储单元。
数据线:
D0 ~ D7 为数据线,用来存储8位数据。
工作原理:
1. 写入数据:当 WE 为低电平,CS 为低电平,地址线给出要写入的地址时,数据线上的数据就会被写入到对应的存储单元中。
2. 读取数据:当 OE 为低电平,CS 为低电平,地址线给出要读取的地址时,存储单元中的数据就会被输出到数据线上。
3. 存储器的工作原理是基于地址寻址的,可以将每个存储单元看作一个箱子,每个箱子里可以存储8位数据。地址线就相当于箱子编号,可以找到对应的箱子,数据线就是箱子里存储的数据。
4. 因为使用了8片256K×1位的SRAM芯片,所以需要将这8个芯片的数据位连接起来,才能形成8位数据的存储单元。每个芯片的地址线和控制线都是共用的,所以需要使用译码器进行地址和控制信号的解码。