5、利用多片256K×1位的SRAM芯片设计存储容量为256K×8位的SRAM存储器。要求：画 出电路原理图，并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理。

以下是基于多片256K×1位的SRAM芯片设计的256K×8位的SRAM存储器的电路原理图：


该存储器由8个256K×1位的SRAM芯片组成，每个芯片负责存储1个数据位。控制线包括读写控制信号（R/W）、片选信号（CS）和时钟信号（CLK）。地址线包括20根地址线，用于寻址存储器中的每个数据位。数据线有8根，用于输入/输出8位数据。

工作原理如下：

1. 当R/W控制信号为高电平时，芯片处于读取模式，当R/W控制信号为低电平时，芯片处于写入模式。

2. 当CS片选信号为低电平时，芯片才能被选中，否则处于非选中状态。

3. 当时钟信号CLK上升沿到来时，芯片会根据地址线上的地址来确定需要读取/写入的数据位，然后将其放入数据线上。

4. 如果是读取操作，则数据线上的数据被送入CPU。如果是写入操作，则CPU将数据线上的数据写入到目标数据位中。

5. 存储器中的每个数据位都可以通过地址线进行寻址，因此可以读取和写入任何位置的数据。

6. 存储器中的每个芯片都可以独立地进行读取和写入操作，因此可以实现并行读取和写入操作。